Changzhou Trustec Company Limited

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CÉSPED rápido 123 del poder más elevado 1N4148W del diodo de transferencia de la pequeña señal de SMD

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Changzhou Trustec Company Limited
Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsSelena Chai
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CÉSPED rápido 123 del poder más elevado 1N4148W del diodo de transferencia de la pequeña señal de SMD

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Number modelo :1N4148W
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :3K PCS
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :800KK PCS por mes
Plazo de expedición :10 productos frescos de los días del trabajo
Detalles de empaquetado :3K PCS por tape&reel, 180K PCS por el cartón.
Tipo :Diodo de transferencia
Tipo del paquete :A través del agujero
Voltaje reverso máximo :100v
Max. Forward Current :0.15A
Max. Reverse Current :5μA
Voltaje delantero máximo :1V
paquete :SOD-123
Uso :Fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
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SOD-123 diodo de transferencia de la señal del silicio plástico del paquete del caso SMD pequeño 1N4148W
 
CARACTERÍSTICAS
Velocidad que cambia rápida
Paquete superficial del soporte adecuado idealmente para la inserción automática
Para el uso que cambia de fines generales
Alta conductancia
 
DATOS MECÁNICOS
Caso: SOD-123 moldeó el cuerpo plástico
Terminales: Solderable por MIL-STD-750, método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,01 gramos (de aproximado)
 

Dibujo del producto

 

CÉSPED rápido 123 del poder más elevado 1N4148W del diodo de transferencia de la pequeña señal de SMD

 

Grados máximos absolutos (TA = 25℃)

 

Parámetro
Símbolo
Valor
Unidad
Voltaje reverso máximo sin repetición
VRM
100
V
Voltaje reverso
VR
75
V
Corriente delantera rectificada media
SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
150
mA
Corriente continua delantera
IFM
300
mA
Sobretensión delantera máxima sin repetición en t = µs 1
en t = ms 100
IFSM

2

1

Disipación de poder
Ptot
400
mW
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente
RθJA
450
℃/W
Gama de temperaturas de funcionamiento
Tj
- 65 a + 150
Gama de temperaturas de almacenamiento
Tstg
- 65 a + 150
 
Características en TA = 25
 
Parámetro
Símbolo
Mínimo.
Máximo.
Unidad
Voltaje de avería reverso en IR = 1 µA
V (BR) R
75
-
V
Voltaje delantero
en SI = 1 mA
en SI = 10 mA
en SI = 50 mA
en SI = 150 mA
VF
-
0,715
0,855
1
1,25

 

V
Corriente reversa máxima
en VR = 75 V
en VR = 20 V
en VR = 75 V, TJ = 150
en VR = 25 V, TJ = 150
 
IR
-
1
25
50
30
µA
nA
µA
 
µA
Capacitancia total en VR = 0 V, f = 1 megaciclo
CT
-
2
PF
Tiempo de recuperación reversa
en IRR = 0,1 X IR, SI = IR = 10 mA, RL = 100
trr
-
4
ns

 

GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS
 
CÉSPED rápido 123 del poder más elevado 1N4148W del diodo de transferencia de la pequeña señal de SMD
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Carro de la investigación 0