Changzhou Trustec Company Limited

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5 Años
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el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales

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Changzhou Trustec Company Limited
Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsSelena Chai
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el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales

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Number modelo :1N4148
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :5K PCS
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :800KK PCS por mes
Plazo de expedición :10 productos frescos de los días del trabajo
Detalles de empaquetado :5K PCS por paquete de la munición, 100K PCS por el cartón.
Tipo :Diodo de transferencia
Tipo del paquete :A través del agujero
Paquete :Vidrio DO-35
Voltaje reverso máximo :100v
Max. Forward Current :0.15A
Max. Reverse Current :5μA
Voltaje delantero máximo :1V
Uso :Fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
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tipo axial diodo de silicio rápido de la pequeña señal que cambia 1N4148 del caso de cristal de 0.15A 100V DO-35
 
1N4148
DIODOS QUE CAMBIAN DE ALTA VELOCIDAD
Voltaje reverso - 100 voltios adelante de actual - 0,15 amperios

 

Número de parte. Paquete
1N4148 Vidrio DO-35
LL4148 MINI MELF
1N4148W SOD-123
1N4148WS SOD-323
1N4148WT SOD-523

 

Dibujo del producto

 

el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 
 
SÍMBOLOS
1N4148
UNIDADES
 Voltaje reverso máximo repetidor máximo
VRRM
100
VOLTIOS
 Voltaje máximo del RMS
VRMS
75
VOLTIOS
 La media máxima adelante rectificó 0,375" actual (9.5m m)   longitud de la ventaja en TA=25 C
YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
150
mAmps
 Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms   sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC)
IFSM
500
mAmps
 Voltaje delantero instantáneo máximo en 10mA
VF
1,0
Voltios
 Revés máximo TA=25 actual C VR=75V de DC
 en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100 C VR=20V
IR
5,0
50
µA
 Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
trr
4,0
ns
 Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
CJ
4,0
PF
 Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
TJ, TSTG
-65 a +200

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
 
NOTAS:
condición 1.Test: IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured en 1,0 megaciclos y el voltaje reverso aplicado de 4,0 voltios
 
CARACTERÍSTICAS
Diodo planar epitaxial del silicio
Diodos que cambian
disipación de poder 500mw
El soldar de alta temperatura garantizado
250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),
5 libras. tensión (2.3kg)
 
DATOS MECÁNICOS
Caso: Sobre sellado de cristal DO-35.
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,005 onzas, 0,14 gramos (DO-35)
 
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS 1N4148
 
el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
el diodo de señal del silicio 1N4148 0.15A 100V HACE 35 axiales
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