Changzhou Trustec Company Limited

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los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

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Changzhou Trustec Company Limited
Ciudad:changzhou
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsSelena Chai
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los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

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Number modelo :1N4148
Lugar del origen :CHINA
Cantidad de orden mínima :5K PCS
Condiciones de pago :T/T
Capacidad de la fuente :800KK PCS por mes
Plazo de expedición :10 productos frescos de los días del trabajo
Detalles de empaquetado :5K PCS por paquete de la munición, 100K PCS por el cartón.
Tipo :Diodo de transferencia
Tipo del paquete :A través del agujero
paquete :DO-35
Voltaje reverso máximo :100v
Max. Forward Current :0.15A
Max. Reverse Current :5μA
Voltaje delantero máximo :1V
Uso :Fuente de alimentación de alta frecuencia del interruptor
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Paquete de cristal rápido 1N4148 IN4148 del diodo de transferencia de la pequeña velocidad de la señal DO-35

 

los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

Dibujo del producto

 

los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
 
 
SÍMBOLOS
1N4148
UNIDADES
 Voltaje reverso máximo repetidor máximo
VRRM
100
VOLTIOS
 Voltaje máximo del RMS
VRMS
75
VOLTIOS
 La media máxima adelante rectificó 0,375" actual (9.5m m)   longitud de la ventaja en TA=25 C
YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
150
mAmps
 Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms   sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC)
IFSM
500
mAmps
 Voltaje delantero instantáneo máximo en 10mA
VF
1,0
Voltios
 Revés máximo TA=25 actual C VR=75V de DC
 en el voltaje de bloqueo clasificado de DC TA=100 C VR=20V
IR
5,0
50
µA
 Tiempo de recuperación reversa máximo (NOTA 1)
trr
4,0
ns
 Capacitancia de empalme típica (NOTA 2)
CJ
4,0
PF
 Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
TJ, TSTG
-65 a +200

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%.
 
NOTAS:
condición 1.Test: IF=10mA, IR=10mA, Irr=1mA, VR=6V, RL=100Ω.
2.Measured en 1,0 megaciclos y el voltaje reverso aplicado de 4,0 voltios
 
CARACTERÍSTICAS
Diodo planar epitaxial del silicio
Diodos que cambian
disipación de poder 500mw
El soldar de alta temperatura garantizado
250 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m),
5 libras. tensión (2.3kg)
 
DATOS MECÁNICOS
Caso: Sobre sellado de cristal DO-35.
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750,
Método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,005 onzas, 0,14 gramos (DO-35)
 
GRADOS Y CURVAS CARACTERÍSTICAS 1N4148
 
los diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de 1N4148 IN4148 HACEN el paquete de cristal 35
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