estuche de plástico del diodo IN5817 IN5818 IN5819 de 1N5817 1N5818 1N5819 Schottky
1N5817 CON 1N5819
RECTIFICADORES DE LA BARRERA DE SCHOTTKY
Voltaje reverso - 20 a 40 voltios adelante de actual - 1,0 amperios
Dimensión
Características de producto
El paquete plástico tiene clasificación 94V-0 de la inflamabilidad del laboratorio de los suscriptores
Empalme del silicio del metal, conducción del portador de mayoría
Guardring para la protección de la sobretensión
Pérdida de la energía baja, eficacia alta
Capacidad de gran intensidad, caída de voltaje delantera baja
Alta capacidad de oleada
Para el uso en la baja tensión, los inversores de alta frecuencia, liberan rodar, y usos de la protección de la polaridad
El soldar de alta temperatura garantizó: 260 C/10 segundos, 0,375" longitud de la ventaja (de 9.5m m), 5 libras. tensión (2.3kg)
Datos mecánicos
Caso: JEDEC DO-41 moldeó el cuerpo plástico
Terminales: Conductores axiales plateados, solderable por MIL-STD-750, método 2026
Polaridad: La banda del color denota el extremo del cátodo
Posición de montaje: Ningunos
Peso: 0,012 onzas, 0,33 gramos
GRADOS MÁXIMOS
Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la carga capacitiva actual reduce la capacidad normal por el 20%.
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SÍMBOLOS |
1N5817 |
1N5818 |
1N5819 |
UNIDADES |
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Voltaje reverso máximo repetidor máximo
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VRRM
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20
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30
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40
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VOLTIOS
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Voltaje máximo del RMS
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VRMS
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14 |
21 |
28 |
VOLTIOS
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Voltaje de bloqueo máximo de DC
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VDC
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20
|
30
|
40
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VOLTIOS
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La media máxima adelante rectificó 0,375" actual longitud de la ventaja (de 9.5m m) en el ℃ TL=90
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YO (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS)
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1,0
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Amperio |
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Onda sinusoidal delantera máxima de la sobretensión sola media 8.3ms sobrepuesta en la carga clasificada (método de JEDEC)
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IFSM
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25,0 |
Amperios |
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Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A
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VF
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0,450
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0,550
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0,600
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Voltios |
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℃ actual TA=25 del revés máximo de DC
en el ℃ clasificado del voltaje de bloqueo de DC TA=100
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IR
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0,5
10,0
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mA |
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Capacitancia de empalme típica (NOTA 1)
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CJ
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110,0
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PF |
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Resistencia termal típica (NOTA 2)
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RθJA
|
50,0
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℃/W |
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Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
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TJ, TSTG
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-65 a +125
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℃ |
Nota:
1.Measured en 1MHz y el voltaje reverso aplicado de C.C. 4.0V
la resistencia 2.Thermal del empalme a ambiente en 0,375" la longitud de la ventaja (de 9.5m m), PWB montó
