Almacenamiento de datos magnetoresistente de la memoria de la memoria de acceso aleatorio MR0A08BCYS35 (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35
VENTAJAS DE LAS CARACTERÍSTICAS
• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente
• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado
• Fuente de alimentación de 3,3 voltios
• Rápidamente ciclo de lectura/grabación de 35 ns
• Sincronización compatible de SRAM
• Falta de volatilidad nativa
• Lectura ilimitada y escribir resistencia
• Datos siempre permanentes durante >20 años en la temperatura
• Temperaturas comerciales e industriales
• Todos los productos resuelven el nivel de la sensibilidad de humedad MSL-3
• Paquetes RoHS-obedientes de TSOP2 y de BGA
VENTAJAS
• Una memoria substituye el FLASH, SRAM, EEPROM y MRAM en el sistema para un diseño más simple, más eficiente
• Mejora confiabilidad substituyendo SRAM batería-apoyado
| Categoría de producto: |
MRAM |
|
TSOP-44 |
|
Paralelo |
|
1 Mbit |
|
128 k x 8 |
|
pedazo 8 |
|
35 ns |
|
3 V |
|
3,6 V |
|
55 mA |
|
- 40 C |
|
+ 85 C |
|
MR0A08B |
|
Bandeja |
| Humedad sensible: |
Sí |
| Montaje de estilo: |
SMD/SMT |
| Tipo de producto: |
MRAM |
|
135 |
| Subcategoría: |
Almacenamiento de la memoria y de datos |
| Peso de unidad: |
0,178707 onzas |
