Memoria de semiconductor S29GL01GS10TFI010 IC NI paralelo del FLASH 1G 3V 100NS NI circuitos integrados de destello
Especificaciones:
| Tamaño de la memoria: |
1 Gbit |
| Voltaje de fuente - minuto: |
2,7 V |
| Voltaje de fuente - máximo: |
3,6 V |
| Tipo de interfaz: |
Paralelo |
| Organización: |
64 M x 16 |
| Anchura del ómnibus de datos: |
pedazo 16 |
| Tipo que mide el tiempo: |
Asincrónico |
| Temperatura de funcionamiento mínima: |
- 40 C |
| Temperatura de funcionamiento máximo: |
+ 85 C |
| Empaquetado: |
Bandeja |
| Arquitectura: |
Eclipse |
| Tipo de la memoria: |
NI |
| Humedad sensible: |
Sí |
| Velocidad: |
100 ns |
| Cantidad del paquete de la fábrica: |
910 |
| Subcategoría: |
Almacenamiento de la memoria y de datos |
| Corriente de la fuente - máxima: |
60 mA |
Características distintivas
Cmos base de 3,0 voltios con la entrada-salida versátil
tecnología del eclipse del nanómetro MirrorBit del 65
sola fuente del (VCC) para la lectura/el programa/el borrado (2,7 V a 3,6 V)
característica versátil de la entrada-salida del – gama ancha del voltaje de la entrada-salida (VIO): 1,65 V a VCC
ómnibus de datos del ×16
la página asincrónica de 32 bytes del leyó
almacenador intermediario programado de 512 bytes – programando en múltiplos de la página, hasta un máximo de 512 bytes
sola palabra del y programa múltiple sobre las mismas opciones de la palabra
comprobación de errores y corrección automáticas (ECC) – ECC interno del del hardware con la corrección de error de un solo bit
borrado del sector del – uniforme 128 sectores del kilobyte
el suspende y reanuda los comandos para las operaciones del programa y del borrado.
