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Canal de los reguladores SMD/SMT SOIC-8 1 de la memoria de los ICs de la memoria de BQ2201SN
Características
supervisión 1.Power y transferencia
para la batería de 3 voltios - applica- de reserva
tions
control 2.Write-protect
entradas de la célula primaria de 3,3 voltios
4.Less que 10ns microprocesador-permiten
retraso de propagación
operación de la fuente de 5,5% o del 10%

| Reguladores de la memoria | |
| RoHS: | Detalles |
| SRAM permanente | |
| Sí | |
| 5,5 V | |
| 4,5 V | |
| 3 mA | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| SMD/SMT | |
| SOIC-8 | |
| Tubo | |
| Descripción/función: | Proporciona todas las funciones necesarias para convertir un Cmos estándar SRAM en nonvolatileread/escribe memoria |
| Monitor de la batería de litio: | Sí |
| Número de canales de memoria: | 1 |
| Voltaje de fuente de funcionamiento: | 5 V |
| Gama de temperaturas de funcionamiento: | - 40 C a + 85 C |
| Tipo de producto: | Reguladores de la memoria |
| Serie: | Detalles |
| Cantidad del paquete de la fábrica: | 75 |
| Subcategoría: | Almacenamiento de la memoria y de datos |
| Tipo: | SRAM permanente (NVSRAM) |
| Peso de unidad: | 0,002677 onzas |