+37 dBm IIP3
•
Ningunos elementos a juego externos
Requerido
•
RF 1850-1990 megaciclos
•
LO 1700-1940 megaciclos
•
SI 50-150 megaciclos
•
nivel de la impulsión de +17 dBm
•
prejuicio de +3V (25 mA)
•
Bajo costo la J-ventaja superficial del soporte
Paquete
Diagrama funcional
18 17 16 15 14 13 12 11 10
123456 789
Función Pin No.
Tierra
1
SI
2
Tierra
3-7
+3V DC
8
Tierra
9
Función Pin No.
Tierra
10
LO
11
Tierra
12-16
RF
17
Tierra
18
Mezclador del FET de High Dynamic Range
Grados máximos absolutos
Parámetro
Grado
Temperatura de caso de funcionamiento
-40 a +85°C
Temperatura de almacenamiento
-65 a +100°C
Energía entrada máxima
dBm 25
1. La operación de este dispositivo sobre ninguno de estos parámetros puede causar daño permanente.
2. La suma total de poder del puerto de LO y del puerto del RF no debe exceder el dBm 25.
Información el ordenar
Número de parte.
Descripción
HMJ2
Mezclador del FET de High Dynamic Range
(Disponible en cinta y carrete)
HMJ2-PCB
Circuito completamente montado del uso
Especificaciones
Parámetro
Unidades
Mínimo
Típico
Máximo
Condición
Gama de frecuencia:
RF megaciclo
1850
1990
LO
Megaciclo
1700
1940
SI
Megaciclo
50
150
Pérdida de conversión de SSB
DB
9,0
10,3
Figura de ruido
DB
10,5
Aislamiento:
LO-RF
DB
17
32
LO-IF
DB
22
29
RF-IF
DB
15
IIP3
dBm
32
37
RF = 1900 megaciclos (0dBm)
Pérdida de vuelta:
Puerto del RF
DB
12
Puerto de LO
DB
10
SI es portuario
DB
14
P1dB entrado
dBm
23
Nivel de la impulsión de LO
dBm
17
Corriente de DC en el prejuicio de +3V
mA
25
35
Condiciones de prueba salvo que se indique lo contrario: RF = 1900 megaciclos (- dBm 10), LO = 1800 megaciclos (dBm 17), SI = 100 megaciclos y ̊C 25.
Las comunicaciones afilan
