Descripción de producto
Semiconductores discretos BJT del transistor bipolar de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Transistor bipolar 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN un transistor bajo de alto voltaje de NPN VCEsat (BISS)
Transistor bajo de alto voltaje discreto de los productos-UNo NPN VCEsat (BISS) del semiconductor
Descripción:
Brecha baja de alto voltaje de NPN VCEsat en pequeño transistor de la señal (BISS) en un poder medio SOT89 (SC-62) y un paquete plástico Superficie-montado ventaja plana del dispositivo (SMD). Complemento de PNP: PBHV9040X.
Uso:
• Conductor del LED para el módulo de cadena del LED
• El hacer excursionismo del LCD
• Gestión automotriz del motor
• Interruptor del gancho para las telecomunicaciones atadas con alambre
• Fuente de alimentación del modo del interruptor (SMPS)
Características:
• Alto voltaje
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCEsat
• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector
• Alto hFE del aumento actual de colector en alto IC
• AEC-Q101 calificó
Versión de la descripción del nombre
Paquete superficie-montado plástico de PBHV8540X SOT89; muere el cojín para la buena transferencia de calor; 3 ventajas
Especificaciones técnicas del producto
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Categoría
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Productos de semiconductor discretos
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Transistores - bipolares (BJT) - solos
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Mfr
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Situación de la parte
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Tipo del transistor
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Actual - colector (Ic) (máximo)
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Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)
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Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic
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Actual - atajo del colector (máximo)
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Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce
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Poder - máximo
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Frecuencia - transición
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete/caso
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Número bajo del producto
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PBHV8540
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| Número de parte |
PBHV8540X, 115 |
| UE RoHS |
Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
Imágenes:
