Descripción de producto
Canal N 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF del MOSFET del poder de Infineon HEXFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/productos de semiconductor discretos internacionales del canal N 55V 30A DPAK del MOSFET del rectificador IOR HEXFET
Soporte D-Pak de la superficie 120W (Tc) del canal N 55 V 30A (Tc)
Descripción
Este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio.
Las características adicionales de este producto son una temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha. Estas características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
Características:
Avalancha repetidor que cambia rápida ultrabaja avanzada de la temperatura de funcionamiento de la En-resistencia 175°C de la tecnología de proceso permitida hasta el pasto de Tjmax D-Pak IRLR3915PbF Yo-Pak IRLU3915PbF
Especificaciones técnicas del producto
| Número de parte |
IRLR3915TRPBF |
| Número de parte bajo |
IRLR3915 |
| UE RoHS |
Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
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Categoría
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Productos de semiconductor discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - solos
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Mfr
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Serie
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HEXFET®
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Paquete
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Situación de la parte
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Tipo del FET
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Tecnología
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
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Vgs (máximo)
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
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Característica del FET
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Disipación de poder (máxima)
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Temperatura de funcionamiento
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Montaje del tipo
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Paquete del dispositivo del proveedor
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Paquete/caso
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TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63
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Número bajo del producto
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IRLR3915
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