Serie suave suave de la transferencia de IC IHW30N160R2FKSA1 de los semiconductores del poder de la serie de la transferencia de los transistores H30R1602 de IHW30N160R2 IGBTs

Usos:
• El cocinar inductivo
• Usos que cambian suaves

Descripción:

Revés (RC-) IGBT que conduce de TrenchStop® con el diodo monolítico del cuerpo
Características:
• Diodo monolítico potente del cuerpo con voltaje delantero muy bajo
• El diodo del cuerpo afianza voltajes con abrazadera negativos
• Tecnología del foso y de Fieldstop para 1600 ofertas de los usos de V:
- distribución muy apretada del parámetro
- alta aspereza, comportamiento estable de la temperatura
• La tecnología del NPT ofrece la capacidad que cambia del paralelo fácil debido a
coeficiente de temperatura positivo en VCE (se sentó)
• EMI baja
• Calificado según JEDEC1
para los usos de la blanco
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente

Especificación: IGBT NPT, parada de campo del foso 1600 V 60 A 312 W a través del agujero PG-TO247-3-1

Número de parte	IHW30N160R2
Categoría	Productos de semiconductor discretos
	Transistores - IGBTs - solos
Serie	TrenchStop®
Paquete	Tubo
Tipo de IGBT	NPT, parada de campo del foso
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)	1600 V
Actual - colector (Ic) (máximo)	60 A
Actual - colector pulsado (Icm)	90 A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 30A
Poder - máximo	312 W
Energía que cambia	4.37mJ
Tipo entrado	Estándar
Carga de la puerta	94 nC
TD (con./desc.) @ 25°C	-/525ns
Condición de prueba	600V, 30A, 10Ohm, 15V
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete/caso	TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO247-3-1

Etiquetas de productos:

Transistor discreto de los dispositivos de semiconductor del poder H30R1602 IHW30N160R2 IGBT

Transistor discreto de los dispositivos de semiconductor del poder H30R1602 IHW30N160R2 IGBT

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power transistor datasheet