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Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3

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China Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3 wholesale
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Mosfets discretos del poder de los dispositivos de semiconductor del transistor del canal N SIHF10N40D-E3
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Number modelo :SIHF10N40D-E3
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :T/T
Plazo de expedición :2~8 días laborables
Marca :Semiconductor de Vishay
Certificado :/
Modelo :SIHF10N40D-E3
MOQ :1 PC
Entrega :2~8 días laborables
Pago :T/T
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Especificaciones técnicas del producto

Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N

 

 

UE RoHS Obediente
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95
Automotriz No
PPAP No
Categoría de producto MOSFET del poder
Configuración Solo
Modo del canal Aumento
Tipo de canal N
Número de elementos por microprocesador 1
Voltaje máximo de la fuente del dren (v) 400
Voltaje de fuente de puerta máximo (v) ±30
Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) 5
Dren continuo máximo (a) actual 10
Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) 100
IDSS máximo (UA) 1
Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) 600@10V
Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta 15@10V
Carga típica @ 10V (nC) de la puerta 15
Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) 526@100V
Disipación de poder máxima (mW) 33000
Tiempo de caída típico (ns) 14
Tiempo de subida típico (ns) 18
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) 18
Tiempo de retraso de abertura típico (ns) 12
Temperatura de funcionamiento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamiento máximo (°C) 150
Paquete del proveedor TO-220FP
Pin Count 3
Nombre del paquete estándar TO-220
Montaje A través del agujero
Altura del paquete 16,12 (máximo)
Longitud del paquete 10,63 (máximo)
Anchura del paquete 4,83 (máximo)
El PWB cambió 3
Etiqueta Etiqueta
Forma de la ventaja A través del agujero
Número de parte SIHF10N40D-E3
Número de parte bajo SIHF10N40
UE RoHS Obediente con la exención
ECCN (LOS E.E.U.U.) EAR99
Situación de la parte Activo
HTS 8541.29.00.95
 
Etiquetas de productos:

igbt semiconductor

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