Especificaciones técnicas del producto
Mosfets discretos del poder de los semiconductores SIHF10N40D-E3 del transistor del canal N
| UE RoHS |
Obediente |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
| Automotriz |
No |
| PPAP |
No |
| Categoría de producto |
MOSFET del poder |
| Configuración |
Solo |
| Modo del canal |
Aumento |
| Tipo de canal |
N |
| Número de elementos por microprocesador |
1 |
| Voltaje máximo de la fuente del dren (v) |
400 |
| Voltaje de fuente de puerta máximo (v) |
±30 |
| Voltaje máximo del umbral de la puerta (v) |
5 |
| Dren continuo máximo (a) actual |
10 |
| Corriente máxima de la salida de la fuente de la puerta (nA) |
100 |
| IDSS máximo (UA) |
1 |
| Resistencia máxima de la fuente del dren (MOhm) |
600@10V |
| Carga típica @ Vgs (nC) de la puerta |
15@10V |
| Carga típica @ 10V (nC) de la puerta |
15 |
| Capacitancia entrada típica @ Vds (PF) |
526@100V |
| Disipación de poder máxima (mW) |
33000 |
| Tiempo de caída típico (ns) |
14 |
| Tiempo de subida típico (ns) |
18 |
| Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado (ns) |
18 |
| Tiempo de retraso de abertura típico (ns) |
12 |
| Temperatura de funcionamiento mínima (°C) |
-55 |
| Temperatura de funcionamiento máximo (°C) |
150 |
| Paquete del proveedor |
TO-220FP |
| Pin Count |
3 |
| Nombre del paquete estándar |
TO-220 |
| Montaje |
A través del agujero |
| Altura del paquete |
16,12 (máximo) |
| Longitud del paquete |
10,63 (máximo) |
| Anchura del paquete |
4,83 (máximo) |
| El PWB cambió |
3 |
| Etiqueta |
Etiqueta |
| Forma de la ventaja |
A través del agujero |
| Número de parte |
SIHF10N40D-E3 |
| Número de parte bajo |
SIHF10N40 |
| UE RoHS |
Obediente con la exención |
| ECCN (LOS E.E.U.U.) |
EAR99 |
| Situación de la parte |
Activo |
| HTS |
8541.29.00.95
|
