SMD que monta el TI TPS25940ARVCT de Texas Instruments Amplifier IC

Características para el TPS25940

• 2,7 V – voltaje de funcionamiento de 18 V, 20 V (máximos)
• 42 mΩ REN (típico)
• 0,6 A a 5,3 un límite actual ajustable (los ±8%)
• Salida actual del indicador de IMON (los ±8%)
• µA 200 que actúa yoQ (típico)
• modo I de DevSleep de 95 µAQ (típico)
• el µA 15 me inhabilitóQ (típico)
• Sobretensión del ±2%, umbral del Undervoltage
• Bloqueo actual reverso
• los µs 1 invierten el cierre del voltaje
• DV programablecontrol de o/dt
• Poder bueno y salidas de la falta
• – 40°C a la gama de temperaturas de empalme 125°C
• UL 2367 reconocida
  • No. 169910 del fichero
  • RKΩ del ≥ 20 de ILIM (4,81 A máximos)
• UL60950 - Caja fuerte durante prueba monopunto del fracaso
  • Detección ábrase/del cortocircuito ILIM

Descripción para el TPS25940

El interruptor del eFuse TPS25940 es un compacto, dispositivo rico de la gestión del poder de la característica con una habitación llena de las funciones de la protección, incluyendo un modo de DevSleep™ de la energía baja que apoye conformidad con el estándar del sueño del dispositivo de SATA™. El rango de operación ancho permite el control de muchos voltajes populares del autobús de DC. Integrado de nuevo a los FETs traseros provea del control actual bidireccional que hace el dispositivo bien adaptado para los sistemas la energía de la interrupción del lado de la carga que no debe drenar de nuevo a un autobús fallado de la fuente.

La protección de la carga, de la fuente y del dispositivo se proporciona muchas características programables incluyendo la sobreintensidad de corriente, dVrampa y sobretensión, umbrales de o/dt del undervoltage. Para la supervisión de la situación de sistema y el control de carga rio abajo, el dispositivo proporciona PGOOD, FLT y salida exacta del monitor actual. Undervoltage programable exacto, umbrales de la sobretensión y el bajo yoEl modo de QDevSleep simplifica diseño de la gestión del poder del SSD.

Los monitores TPS25940 V(ADENTRO) y V(SALIDA) proporcionar el bloqueo actual reverso verdadero cuando V(ADENTRO) <>(SALIDA) - 10 milivoltio). Esta función apoya el cambio rápido a un elemento de almacenamiento impulsado de energía del voltaje en sistemas donde está mayor el voltaje de reserva que voltaje del autobús.