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Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process

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Ciudad:hong kong
Provincia / Estado:hong kong
País/Región:china
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Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process

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Number modelo :Fabricante
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :2 PC
Condiciones de pago :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente :10000 PC/mes
Plazo de expedición :5-8 días
Detalles de empaquetado :Cartón
Color :Gris/plata
Cortar el material :Lado del filtro
Términos de envío :EXW, MANDO, CFR, CIF
Marca :Upperbond
Condición :A estrenar
Carga :Aramex, DHL, Fedex, TNT, etc
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Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Radio de coche del Todo-transistor

La primera radio de coche del todo-transistor de la “producción” fue desarrollada por Chrysler y las sociedades y Philco fueron anunciados en la edición del 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler había hecho la radio de coche del todo-transistor, Mopar 914HR, disponible modelo como opción que comenzaba en la caída 1955 para su nueva línea de Chrysler 1956 y de coches imperiales que primero golpeó los pisos de la sala de exposición de la representación el 21 de octubre de 1955.

Transistor del Punto-contacto

En 1948, el transistor del punto-contacto fue inventado independientemente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras que trabajaba en el DES Freins y Signaux Westinghouse, una filial de Compagnie de Westinghouse situada en París. Mataré tenía experiencia anterior en rectificadores cristalinos que se convertían del silicio y del germanio en el esfuerzo alemán del radar durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, él comenzó a investigar el fenómeno de “interferencia” en 1947.

IRFZ44NS/LPbF

Parámetro Mínimo.
V (BR) DSS Voltaje de avería de la Dren-a-fuente 55
△仏 Tj de V (BR) DSS Temporeros del voltaje de avería. Coeficiente
RDS (encendido) En-resistencia estática de la Dren-a-fuente
VGS (th) Voltaje del umbral de la puerta 2,0
gts Transconductancia delantera 19
bss Corriente de la salida de la Dren-a-fuente
pérdida Salida delantera de la Puerta-a-fuente
Salida reversa de la Puerta-a-fuente
Qg Carga total de la puerta
Qgs Carga de la Puerta-a-fuente
Qgd Carga del Puerta-a-dren (“Miller”)
TD (encendido) Tiempo de retraso de abertura
tr Tiempo de subida
TD (apagado) Tiempo de retraso de la vuelta-Apagado
tf Tiempo de caída
Ls Inductancia interna de la fuente
Cjss Capacitancia entrada
Coss Capacitancia de salida
Crss Capacitancia reversa de la transferencia
Eas Sola avalancha Energy® del pulso

Transistor D2PAK del silicio de Hauni Max Super Slim Advanced Process

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