HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED
LIMITADO INDUSTRIAL DE HK UPPERBOND
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Detector rápido nano del embalador del cigarrillo de la transferencia Irfz44ns de Sasib 3000
Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.
Radio de coche del Todo-transistor
La primera radio de coche del todo-transistor de la “producción” fue desarrollada por Chrysler y las sociedades y Philco fueron anunciados en la edición del 28 de abril de 1955 de Wall Street Journal. Chrysler había hecho la radio de coche del todo-transistor, Mopar 914HR, disponible modelo como opción que comenzaba en la caída 1955 para su nueva línea de Chrysler 1956 y de coches imperiales que primero golpeó los pisos de la sala de exposición de la representación el 21 de octubre de 1955.
Importancia
Los transistores son los componentes activos dominantes en prácticamente toda la electrónica moderna. Muchos consideran así el transistor ser una de las invenciones más grandes del siglo XX.
La invención del primer transistor en Bell Labs fue nombrada un jalón de IEEE en 2009. La lista de jalones de IEEE también incluye las invenciones del transistor de empalme en 1948 y del MOSFET en 1959.
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Máximo. | Unidades | |
| Identificación @ Tq = 25°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 49 | |
| lD @ Tc = 100°C | Corriente continua del dren, Vgs @ 10V | 35 | |
| Idm | Corriente pulsada del dren① | 160 | |
| @Ta del PALADIO = 25°C | Disipación de poder | 3,8 | W |
| Paladio @TC = 25°C | Disipación de poder | 94 | W |
| Factor que reduce la capacidad normal linear | 0,63 | W/°C | |
| Vgs | Voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
| Iar | Corriente de la avalancha① | 25 | |
| Oído | Avalancha repetidor Energy® | 9,4 | mJ |
| dv/dt | Recuperación máxima dv/dt del diodo③ | 5,0 | V/ns |
| Tj | Empalme de funcionamiento y | -55 a + 175 | °C |
