HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

LIMITADO INDUSTRIAL DE HK UPPERBOND

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Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para las máquinas de Kretek

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Ciudad:hong kong
Provincia / Estado:hong kong
País/Región:china
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Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para las máquinas de Kretek

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Number modelo :Fabricante
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :2 PC
Condiciones de pago :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente :10000 PC/mes
Plazo de expedición :5-8 días
Detalles de empaquetado :Cartón
Diámetro del cigarrillo :5.4m m - 8.0m m
Color :Gris/plata
Puerto de envío :Guangzhou, Shangai
Máquina aplicable :Fabricante de cigarrillo
Modelos de máquina :Protos, passim, MK8, MK9,
Condición :A estrenar
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Modelo Through-Hole Version Mosfet Irfz44ns de Molins MK9 para las máquinas de Kretek

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

Grados y características del Fuente-dren

Parámetro Tipo Máximo.
Es Corriente de fuente continua (diodo del cuerpo) 49
Ismo Corriente de fuente pulsada (diodo del cuerpo)① 160
VsD Voltaje delantero del diodo 1,3
trr Tiempo de recuperación reversa 63 95
Qrr Carga reversa de la recuperación 170 260

Radio de transistor del bolsillo

La primera radio de transistor del bolsillo del “prototipo” fue mostrada por INTERMETALL (una compañía fundada por Herbert Mataré en 1952) en el Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre el 29 de agosto de 1953 y el 6 de septiembre de 1953. La primera radio de transistor del bolsillo de la “producción” era la regencia TR-1, lanzada en octubre de 1954.

Producción en masa

En los años 50, el ingeniero egipcio Mohamed Atalla investigó las propiedades superficiales de los semiconductores del silicio en Bell Labs, donde él propuso un nuevo método de fabricación del dispositivo de semiconductor, cubriendo una oblea de silicio con una capa de aislamiento de óxido de silicio de modo que la electricidad pudiera penetrar confiablemente al silicio que conducía abajo, superando los estados superficiales que evitaron que la electricidad alcanzara la capa semiconductora. Esto se conoce como estabilización de superficie, un método que llegó a ser crítico a la industria del semiconductor como ella hizo más adelante posible la producción en serie de los circuitos integrados del silicio.

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