HK UPPERBOND INDUSTRIAL LIMITED

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Línea de embalaje nana del cigarrillo de Hauni Protos transferencia rápida Irfz44ns

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Ciudad:hong kong
Provincia / Estado:hong kong
País/Región:china
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Línea de embalaje nana del cigarrillo de Hauni Protos transferencia rápida Irfz44ns

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Number modelo :Fabricante
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :2 PC
Condiciones de pago :T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente :10000 PC/mes
Plazo de expedición :5-8 días
Detalles de empaquetado :cartón
Otros modelos :Skoda, CME, Sasib
Adaptable :Positivo
Transporte del mar :Solo con pedidos más grandes
Modelos de máquina :Protos, passim, MK8, MK9,
Puerto de envío :Guangzhou, Shangai
Diámetro del cigarrillo :5.4m m - 8.0m m
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Línea de embalaje nana del cigarrillo de Hauni Protos transferencia rápida Irfz44ns

Un transistor es un dispositivo de semiconductor usado para amplificar o para cambiar señales electrónicas y corriente eléctrica. Los transistores son una de las unidades de creación básicas de electrónica moderna. Se compone del material del semiconductor generalmente con por lo menos tres terminales para la conexión a un circuito externo.

1. Radio de transistor del bolsillo

La primera radio de transistor del bolsillo del “prototipo” fue mostrada por INTERMETALL (una compañía fundada por Herbert Mataré en 1952) en el Internationale Funkausstellung Düsseldorf entre el 29 de agosto de 1953 y el 6 de septiembre de 1953. La primera radio de transistor del bolsillo de la “producción” era la regencia TR-1, lanzada en octubre de 1954.

1. Transistor de alta frecuencia

El primer transistor de alta frecuencia era el transistor del germanio de la superficie-barrera desarrollado por Philco en 1953, capaz de actuar hasta 60 megaciclos. Éstos fueron hechos grabando al agua fuerte depresiones en un n-tipo base del germanio de ambos lados con los jets del indio (III) sulfato hasta que fuera algunos ten-thousandths de una pulgada densamente. El indio electrochapó en las depresiones formó el colector y el emisor.

1. Transistores de empalme bipolar

Los primeros transistores de empalme bipolar fueron inventados por William Shockley de los laboratorios de Bell, que solicitó la patente (2.569.347) el 26 de junio de 1948. El 12 de abril de 1950, los químicos Gordon Teal de Bell Labs y Morgan Sparks habían producido con éxito un transistor de amplificación de trabajo del germanio del empalme bipolar de NPN.

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