Pequeña división de los diodos de semiconductor de la caja del diodo DO-35 de Schottky de la señal de la serie SD101
Características
- empalme del Metal-en-silicio, conducción del portador de mayoría
- Capacidad de gran intensidad, caída de voltaje delantera baja
- Extremadamente - revés bajo IR actual
- Ultra características que cambian de la velocidad
- Pequeño coeficiente de temperatura de características delanteras
- Eficacia satisfactoria de la detección de onda
- Cirits que cambian de alta velocidad estupendos, pequeño rectificador actual
- El soldar de alta temperatura garantizó: segundos 260℃/10 en los terminales
- Componente del acuerdo a RoHS 2015/863/EU
Usos
1. HF-detector
2. Circuito de protección
3. Pequeño cargador de batería
4. AC/DC, convertidores de DC/DC
Construcción
Planar epitaxial del silicio
Grados máximos absolutos
Tj=25℃
Parámetro | Condiciones de prueba | Tipo | Símbolo | Valor | Unidad |
voltaje inverso máximo | | SD101A | VRRM | 60 | V |
SD101B | VRRM | 50 | V |
SD101C | VRRM | 40 | V |
Sola onda cuadrada máxima de la oleada 10us del ciclo | | | IFSM | 2 | |
Disipación de poder | Tamb=25℃ | | Picovoltio | 400 | mW |
Gama de temperaturas de almacenamiento | | | Tstg | -55~+150 | ℃ |
Características eléctricas
Tj=25℃
Parámetro | Condiciones de prueba | Tipo | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Caída de voltaje delantera | IF=1mA | SD101A | VF | | | 0,41 | V | SD101B | | | 0,4 | SD101C | | | 0,39 | IF=15mA | SD101A | VF | | | 1 | V | SD101B | | | 0,95 | SD101C | | | 0,9 | salida actual | VR=50V | SD101A | IR | | 1 | 0,2 | μA | VR=40V | SD101B | | | 0,2 | VR=30V | SD101C | | | 0,2 | Capacitancia de empalme | VR=VF=0, f=1MHz | SD101A | Ctot | | | 2,0 | PF | SD101B | | | 2,1 | SD101C | | | 2,2 | Tiempo de recuperación reversa | IF=IR=200mA a 0.1mA | | trr | | | 1 | ns | |

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