paquete superficial del diodo de rectificador de la barrera de Schottky del soporte 1.0Ampere 10BQ100 SMB
CARACTERÍSTICAS:
El rectificador de Schottky del superficie-soporte 10BQ100 ha sido
diseñado para los usos que requieren descenso delantero bajo y muy
pequeñas impresiones del pie en los tableros de PC. Los usos típicos están en disco
impulsiones, fuentes de alimentación que cambian, convertidores, andando sin embragar
diodos, batería que carga, e invertir la protección de la batería.
Pequeña impresión del pie, superficie aumentable
Caída de voltaje delantera baja
Operación de alta frecuencia
Anillo de guardia para la aspereza y el largo plazo aumentados
confiabilidad
Grados del voltaje
| Número de parte | 10BQ100 |
| Voltaje Reverso de V R Max. DC (v) | 100 |
| Voltaje reverso de V RWM Max. Working Peak (v) |
Grados máximos absolutos
| Parámetros | 10BQ | Unidades | Condiciones |
| Yo corriente de F (sistema de pesos americano) Max. Average Forward | 1,0 | | ciclo de trabajo @ T del 50% L = 152 °C, forma de onda rectangular |
| Ciclo del FSM Max. Peak uno de I sin repetición Sobretensión | 780 | | seno 5µs o 3µs Rect. pulso | Después de cualquier clasificado condición de carga y con V clasificado RRM se aplicó |
| 38 | seno 10ms o 6ms Rect. pulso |
| E COMO energía sin repetición de la avalancha | 1,0 | mJ | T J = °C 25, YO COMO = 0.5A, L = 8mH |
| Yo corriente repetidor de la avalancha de AR | 0,5 | | Decaimiento actual linear a cero en 1 µsec Frecuencia limitada por T J máximo Va = 1,5 x Vr típico |
Especificaciones eléctricas
| Parámetros | 10BQ | Unidades | Condiciones |
| Caída de voltaje delantera del máximo de V FM (1) | 0,78 | V | @ 1A | T J = °C 25 |
| 0,89 | V | @ 2A |
| 0,62 | V | @ 1A | T J = °C 125 |
| 0,72 | V | @ 2A |
| YO corriente de Max. Reverse Leakage del RM (1) | 0,5 | mA | T J = °C 25 | V R = V clasificado R |
| 1 | mA | T J = °C 125 |
| Capacitancia de empalme típica de C T | 42 | PF | V R = 5V DC, (gama 100kHz de la señal de la prueba a 1MHz) 25°C |
| L inductancia típica de la serie de S | 2,0 | nH | Ventaja medida para llevar 5m m de cuerpo del paquete |
| índice de dv/dt Max. Volatge de la carga (V clasificado R) | 10000 | V/ µs | | |
(1) anchura de pulso < 300µs, ciclo de trabajo el < 2%
Especificaciones Termal-mecánicas
| Parámetros | 10BQ | Unidades | Condiciones |
| Gama de temperaturas máxima de empalme de T J (*) | - 55 a 175 | °C | |
| Gama de temperaturas máxima de almacenamiento del stg de T | - 55 a 175 | °C | |
| Empalme de la resistencia termal del máximo del thJL de R a llevar | 36 | °C/W | Operación de DC |
| Empalme de la resistencia termal del máximo del thJA de R a ambiente | 80 | °C/W | |
| peso aproximado del peso | 0,10 (0,003) | g (onza.) | |
| Estilo del caso | SMB | DO-214AA similar |
| Marcado del dispositivo | IR1J | |
Dibujo:
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