Electrónica Co., Ltd. de Wuxi Xuyang

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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Pérdida superficial de la energía baja del diodo 2A de Schottky del soporte con eficacia alta

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Electrónica Co., Ltd. de Wuxi Xuyang
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsBixia Wu
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Pérdida superficial de la energía baja del diodo 2A de Schottky del soporte con eficacia alta

Preguntar último precio
Número de modelo :SS22-SS26
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente :300000pcs/month
Detalles de empaquetado :3000pcs/box
Nombre del producto :SS22-SS26
Actual :2.0A
tensión :20-60V
SPQ :30000pcs/box
Paquete :SMB
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cinta superficial del rectificador SS22-SS26 SMB Pakcage de la barrera de Schottky del soporte 2.0Ampere en carrete

 

 

CARACTERÍSTICAS:

 

* ideal para el uso superficial de la selección y del lugar del soporte
* paquete del perfil bajo
* pérdida de la energía baja, eficacia alta
* capacidad de gran intensidad, Vf bajo

* alta capacidad de oleada

* el soldar de alta temperatura garantizado: 260 segundos C/10 en los terminales

 

DATOS MECÁNICOS

 

• Terminal: Plateado lleva solderable por
MIL-STD 202E, método 208C
• Caso: Moldeado con el Vo de la clase UL-94
epóxido ignífugo reconocido
• Polaridad: La banda del color denota el cátodo

 

GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

 

Grados en 25 temperaturas ambiente de C salvo especificación de lo contrario.
La carga la monofásico 60Hz de media-onda, resistente o inductivo, para la corriente capacitiva de la carga reduce la capacidad normal por el 20%

 

TIPO NÚMERO SS22 SS23 SS24 SS25 SS26 UNIDADES
Voltaje reverso del pico periódico máximo 20 30 40 50 60 V
Voltaje máximo del RMS 14 21 28 35 42 V
Voltaje de bloqueo máximo de DC 20 30 40 50 60 V
Corriente rectificada delantera media máxima en T L 300 2,0

Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms

sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC)

50
Voltaje delantero instantáneo máximo en 2.0A

0,50

 

0,70 V
Revés máximo Ta=25 actual C de DC 0,5 mA
en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100 C 20,0 mA
Capacitancia de empalme típica (Note1) 200 PF
Resistencia termal típica Rq JA (nota 2) 25 o C/W
Temperatura de empalme del almacenamiento y de la operación -65 a +150 o C


Dibujo:

 

Pérdida superficial de la energía baja del diodo 2A de Schottky del soporte con eficacia alta

 

 

 

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