diodo de transferencia de alta velocidad 1N4150 1N4150 50V 200MA con el paquete DO-35
Características
1. Alta confiabilidad
2. alta capacidad actual delantera
.
Usos
Interruptor de alta velocidad y uso de fines generales en ordenador y usos industriales
Construcción
Planar epitaxial del silicio
Datos mecánicos
Caso: DO-35, MiniMELF
Terminales: Ventajas plateadas Solderable por MIL-STD-202, método 208
Polaridad: Banda del cátodo
Peso: DO-35 0,13 gramos de MiniMELF 0,05 gramos
Marca: Banda del cátodo solamente
Grados máximos absolutos
TJ = 25°C
| Parámetro | Condiciones de prueba | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje reverso máximo repetidor | | VRRM | 50 | V |
| Voltaje reverso | | VR | 40 | V |
| Sobretensión delantera máxima | tp≦1 s | IFSM | 4 | |
| Corriente delantera | | SI | 600 | mA |
| Corriente delantera media | VR =0 | IFAV | 300 | mA |
| Disipación de poder | | Picovoltio | 500 | mW |
| Temperatura de empalme | | Tj | 175 | ℃ |
| Gama de temperaturas de almacenamiento | | Tstg | -65~+125 | ℃ |
Resistencia termal máxima
TJ = 25°C
| Parámetro | Condiciones de prueba | Símbolo | Valor | Unidad |
| Empalme ambiente | en el tablero de PC 50mm×50mm×1.6m m | RthJA | 500 | K/W |
Características eléctricas
TJ = 25°C
| Parámetro | Condición de prueba | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Voltaje delantero | SI = 1mA | VF | 0,54 | | 0,62 | V |
| SI = 10mA | VF | 0,66 | | 0,74 | V |
| SI = 50mA | VF | 0,76 | | 0,86 | V |
| SI = 100mA | VF | 0,82 | | 0,92 | V |
| SI = 200mA | VF | 0,87 | | 1,0 | V |
| Corriente reversa | VR = 20V | IR | | | 100 | nA |
| VR = 50V, TJ = 150°C | IR | | | 100 | μA |
| Capacitancia del diodo | VR = 0, f=1MHz, VHF-50mV | CD | | | 2,5 | PF |
| Tiempo de recuperación reversa | SI = IR = 10… 100mA, IR = 1mA, RL = 100Ω | trr | | | 4 | ns |
Dibujo:
