Electrónica Co., Ltd. de Wuxi Xuyang

Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd.

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Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

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Electrónica Co., Ltd. de Wuxi Xuyang
Provincia / Estado:jiangsu
País/Región:china
Persona de contacto:MsBixia Wu
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Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

Preguntar último precio
Número de modelo :1N4448
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :5000pcs
Condiciones de pago :T / T, Western Union
Capacidad de la fuente :100000pcs por 1 semana
Plazo de expedición :5 - 8 días del trabajo
Detalles de empaquetado :cinta en la caja, 5000pcs/box
nombre :Diodo de transferencia
número de pieza :1N4448
VR :75V
Caso :DO-35
Temperatura de empalme :175°C
Temperatura de almacenamiento :– 65 a +175°C
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diodo de alta velocidad del diodo de transferencia 1N4448 pequeño solo con el caso DO-35

 

 

Características

 

• Diodo planar epitaxial del silicio

• Diodo que cambia rápido.

• Este diodo está también disponible en otros estilos del caso incluyendo el caso SOD-123 con el tipo

designación 1N4448W, el caso de MiniMELF con el tipo designación LL4148, el SOT-23

caso con el tipo designación IMBD4148.

.

Datos mecánicos

Caso: Caja de vidrio DO-35

Peso: aproximadamente 0.13g

 

Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Límite Unidad
Voltaje reverso VR 75 V
Voltaje reverso máximo VRM 100 V

Corriente rectificada media

Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C

SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) 150 mA
Corriente delantera de la oleada en t < 1s y Tj = 25°C IFSM 500 mA
Disipación de poder en Tamb = 25°C Ptot 500 mW
Empalme de la resistencia termal al aire ambiente RθJA 350 °C/W
Temperatura de empalme Tj 175 °C
Temperatura de almacenamiento TS – 65 a +175 °C

 

Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Parámetro Símbolo Condición de prueba Minuto Tipo Máximo Unidad
Voltaje delantero VF

SI = 5mA

SI = 100mA

0,62

0,70

1,0

V
Salida actual IR

VR = 20V

VR = 75V

VR = 20V, TJ = 150°C

25

5

50

nA

μA

μA

Voltaje de avería reverso V (BR) R IR = 100ìA (pulsados) 100 V
Capacitancia Ctot VF = VR = 0V 4 PF
Tiempo de recuperación reversa trr

SI = 10mA, IR = 1mA,

VR = 6V, RL = 100Ù

4 ns
Eficacia de rectificación nanovoltio f = 100MHz, VRF = 2V 0,45

 

Dibujo:

Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

Diodos de transferencia rápidos de la pequeña señal de fines generales 1N4448 con el caso DO-35

 

nuestro servicio:

La condición común es siempre puesta al día, agradable entrarnos en contacto con para más detalles.

Prometemos citar solamente productos con la condición real del 100%, nunca vendemos restaurado o copia como original.

Nuestro objeto es hacer la cooperación a largo plazo.

Elíjanos, usted nos encontrará profesionales, siempre confiables y fáciles hacer negocio.

Compañía aquí con confianza, proveemos de usted servicio post-venta excelente, usted nunca lamentaremos

elegirnos.

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