Diodo de señal de alta velocidad del diodo de transferencia de BAV19 BAV20 BAV21 pequeño
Características
• Paquete DO-35 (JEDEC)
• Tipo de dispositivo del Por-agujero montaje
• Vidrio sellado herméticamente
• Construcción consolidada de la compresión
• Todas las superficies externas son resistentes a la corrosión y las ventajas son fácilmente solderable
• ROHS obediente
• Final de la ventaja de la lata de la inmersión caliente de la soldadura (Sn)
• El cátodo indicó por la banda de la polaridad
• La banda indica el cátodo
Grados máximos y características termales (TA = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad | | Voltaje reverso continuo BAV19 BAV20 BAV21 | VR | 100 150 200 | V | | Voltaje reverso máximo repetidor BAV19 BAV20 BAV21 | VRRM | 120 200 250 | V | | Corriente delantera de DC en Tamb = 25°C (1) | SI | 250 | mA | | Actual rectificada (media) Rectificación de media-onda con la carga resistente en Tamb = 25°C | SI (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | 200 | mA | | Corriente delantera máxima repetidor en el ≥ de f 50Hz, È = 180°, Tamb = 25°C (1) | IFRM | 625 | mA | | Corriente delantera de la oleada en t < 1s y Tj = 25°C | IFSM | 1 | | | Disipación de poder en Tamb = 25°C (1) | Ptot | 500 | mW | | Empalme de la resistencia termal al aire ambiente (1) | RèJA | 430 | °C/W | | Temperatura de empalme (1) | Tj | 175 | °C | | Gama de temperaturas de almacenamiento (1) | TS | – 65 a +175 | °C | |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Voltaje delantero | VF | SI = 5mA SI = 100mA | — — | — — | 1,00 1,25 | V |
| Salida BAV19 actual BAV19 BAV20 BAV20 BAV21 BAV21 | IR | VR = 100V VR = 100V, Tj = 100°C VR = 150V VR = 150V, TJ = 100°C VR = 200V VR = 200V, TJ = 100°C | — — — — — — | — — — — — — | 100 15 100 15 100 15 | nA μA nA μA nA μA |
| Resistencia delantera dinámica | rf | SI = 10mA | — | 5 | — | V |
| Capacitancia | Ctot | VR = 0, f = 1MHz | — | 1,5 | — | PF |
| Tiempo de recuperación reversa | trr | SI = 30mA, IR = 30mA, IRR = 3mA, RL = 100Ω | — | — | 50 | ns |
Dibujo:
Ventaja:
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