Planar epitaxial del silicio para el diodo que cambia de alto voltaje 1SS83
Características
• Alto voltaje reverso (VR = 250V)
• Alta confiabilidad con el sello de cristal
.
Datos mecánicos
Caso: Caja de vidrio DO-35
Peso: aproximadamente 0.13g
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje reverso | VR | 250 | V |
| Revés máximo Voltage*1 | VRM | 300 | V |
| Corriente rectificada media | Io | 200 | mA |
| Pico adelante actual | IFM | 625 | mA |
| Sobretensión delantera máxima sin repetición | IFSM *2 | 1 | |
| Disipación de poder | Paladio | 400 | mW |
| Temperatura de empalme | Tj | 175 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | TS | – 65 a +175 | °C |
Características eléctricas (TJ = 25°C a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Voltaje delantero | VF | SI = 100mA | — | — | 1,0 | V |
| Corriente reversa | IR1 | VR = 200V | — | — | 200 | nA |
| IR2 | VR = 300V | — | — | 100 | μA |
| Capacitancia | C | VR = 0V, f =1.0 megaciclo | — | 1,5 | — | PF |
| Tiempo de recuperación reversa | trr | SI = IR = 30mA, IRR = 3 mA, RL = 100Ω | — | — | 100 | ns |
Dibujo:
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