Revés de alta velocidad DO-34 actual de DiodeLow de la transferencia de 1SS133 1SS244
Características
1. sobre sellado de cristal.
2. alta confiabilidad.
3. velocidad.
Usos
Transferencia de alta velocidad
Construcción
Planar epitaxial del silicio
Grados máximos absolutos
Tj =25℃
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje reverso de DC | VR | 80 | V |
| Revés máximo Voltage*1 | VRM | 90 | V |
| Corriente de rectificación mala | Io | 130 | mA |
| Pico adelante actual | IFM | 400 | mA |
| Sobretensión (1s) | Isurge | 600 | mA |
| Disipación de poder | P | 300 | mW |
| Temperatura de empalme | Tj | 175 | °C |
| Temperatura de almacenamiento | TS | – 65 a +175 | °C |
Las tensiones que exceden grados máximos pueden dañar el dispositivo. Los grados máximos son tensión
grados solamente. La operación funcional sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas no se implica.
La exposición ampliada a las tensiones sobre las condiciones de funcionamiento recomendadas puede afectar al dispositivo
confiabilidad.
Características eléctricas
Tj =25℃
| Parámetro | Símbolo | Condición de prueba | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad |
| Voltaje delantero | VF | SI = 100mA | — | 0,92 | 1,0 | V |
| Corriente reversa | IR | VR = 80V | — | 0,02 | 0,5 | μA |
| Capacitancia entre los terminales | CT | VR = 0.5V, f =1.0 megaciclo | — | 1,55 | 2 | PF |
| Tiempo de recuperación reversa | trr | VR = 0.5V, SI = 10mA, RL = 50Ω | — | 1,5 | 4 | ns |
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