el vidrio rápido estupendo del rectificador de silicio de la recuperación 1Amp apaciguó 50-1000V RGP10A-M DO-41
CARACTERÍSTICAS
●Empalmes apaciguados de cristal del microprocesador
●Ideal para la colocación automatizada
●Tiempo de recuperación reversa ultrarrápido
para la eficacia alta
●Paquete del perfil bajo
●Alta capacidad de oleada delantera
●El soldar de alta temperatura:
segundos 260℃/10 en los terminales
●Componente del acuerdo a
RoHS 2002/95/1 y WEEE 2002/96/EC
Fecha mecánica
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| 10A | 10B | 10D | 10G | 10J | 10K | 10M |
| V RRM | Voltaje reverso repetidor máximo | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
| YO F (SISTEMAS DE PESOS AMERICANOS) | Corriente delantera rectificada media, .375" longitud @ T de la ventaja L = 55°C | 1,0 | |
| YO FSM | Sobretensión delantera máxima sin repetición 8,3 ms sola Mitad-Seno-onda | 30 | |
| Stg de T | Gama de temperaturas de almacenamiento | -65 a +175 | °C |
| T J | Temperatura de empalme de funcionamiento | -65 a +175 | °C |
* estos grados son los valores límites sobre los cuales la utilidad de cualquier dispositivo de semiconductor puede ser empeorada
Características termales
| Symboy | Paramete | Valor | Unidades |
| P D | Disipación de poder | 3,0 | W |
| R del θJA | Resistencia termal, empalme a ambiente | 50 | °C/W |
Características eléctricas T A = 25°C a menos que se indicare en forma diferente
| Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
| 10A | 10B | 10D | 10G | 10J | 10K | 10M |
| VF | Voltaje delantero @ 1,0 A | 1,3 | V |
| t rr | Tiempo de recuperación reversa Yo F = 0,5 A, I R = 1,0 A, I rr = 0,25 A | 150 | 250 | 500 | |
| YO R | @ V clasificado actual reverso R T A = 25°C T A = 150°C | 5,0 200 | UA UA |
| C T | Capacitancia total V R = 4,0 V, f = 1,0 megaciclos | 15 | PF |
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