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Característica
• Ideal para la selección superficial del soporte y
uso del lugar
• Paquete del perfil bajo
• Alivio de tensión incorporado
• Alta capacidad de oleada
• Microprocesador del empalme abierto, silastic apaciguado
• El soldar de alta temperatura garantizó:
260 termina de o C/10sec/at
Datos mecánicos
• Terminal: Plateado lleva solderable por
MIL-STD 202E, método 208C
• Caso: Moldeado con el Vo de la clase UL-94
epóxido ignífugo reconocido
• Polaridad: La banda del color denota el cátodo
GRADOS MÁXIMOS Y CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Los otherwies de los uniess de la temperatura ambiente del grado 25 C especificaron.
Carga de la media onda, de 60Hz, resistente o inductiva la monofásico.
Para la carga capacitiva, reduzca la capacidad normal de actual por el 20%.
TIPO NÚMERO | M1 | M2 | M3 | M4 | M5 | M6 | M7 | Unidad |
Voltaje reverso del pico periódico máximo | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Voltaje máximo del RMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V |
Voltaje de bloqueo máximo de DC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V |
Actual rectificada delantero medio máximo .375" longitud de la ventaja (de 9.5m m) en Ta=75 C | 1,0 | |||||||
Sobretensión delantera máxima, sola media onda sinusoidal de 8,3 ms sobrepuesto en la carga clasificada (método de JEDEC) Voltaje delantero instantáneo máximo en 1.0A |
30 1,0 |
V | ||||||
Revés máximo Ta=25 actual C de DC en el voltaje de bloqueo clasificado de DC Ta=100 C | 5,0 50 | UA UA | ||||||
Tiempo de recuperación reversa máximo (nota 1) | 15 | ns | ||||||
Capacitancia de empalme típica (nota 2) | 50 | PF | ||||||
Gama de temperaturas TJ, TSTG del funcionamiento y de almacenamiento | -65 +150 | °C |
Dibujo:
¿Por qué elíjanos?
1. ISO9001: fábrica certificada 2008
2. 20 años de experiencia rica en la producción del diodo
3. El control de calidad estricto, alcanza la satisfacción máxima del cliente
4. La capacidad de producción anual está más de 2 mil millones