Denuncia de ROHS visible acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
■Descripción de producto del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
El sensor de la luz de LXD/GB3-A1DPS tiene respuesta espectral casi solamente el visible para acercar a la gama del IR, LXD/GB3-A1DPS ofrece pequeño torelance en diversas temperaturas de color que el tipo convencional. LXD/GB3-A1DPS se encapsula en un paquete plástico que tiene la misma forma que los paquetes del metal. La forma de LXD/GB3-A1DPS también se asemeja a nuestro 5R tipo sensores visibles (células fotoconductoras de los Cdes), así que LXD/GB3-A1DPS se puede utilizar como reemplazo para esos sensores visibles y cercanos del IR.
■Características del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
* operación apenas tan fácil de utilizar como un fototransistor
* baje las fluctuaciones salida-actuales comparadas con las células fotoconductoras de los fototransistores y de los Cdes.
* linearidades excelentes, buena salida actual linear sobre la iluminación
* pequeño torelance para las fuentes de luz produciendo la misma iluminación en diversas temperaturas de color.
* sensibilidad actual y alta oscura baja de la foto.
* RoHS obediente, alternativa cadmio-libre a las fotocélulas.
■Usos del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
* transferencia ligera interior y exterior (interruptor de la oscuridad/del amanecer)
* control ligero interior y exterior (oscurecimiento)
* amortiguador automotriz de la linterna
* control del contraste de la exhibición
* colorímetros
* reemplazo para las fotocélulas de los Cdes
Grados máximos absolutos/(Type.Ta=25℃) del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Voltaje del Colector-emisor | VCEO | 12 | V |
| Emisor-Colector-voltaje | VEOC | 5 | V |
| Disipación de poder en | PC | 70 | mW |
| Temperatura de almacenamiento | Topr | -25~85 | ℃ |
| Temperatura que suelda | Tstg | -40~+100 | ℃ |
Características electrópticas (Type.Ta=25℃) del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
| Parámetro | Símbolo | Condición | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad |
| Gama de la respuesta espectral | λp | / | - | 850 | - | nanómetro |
| Longitud de onda máxima de la sensibilidad | λd | / | 400 | - | 1100 | nanómetro |
| Corriente oscura | Identificación | Lux de Vdd=5V Ev=0 | - | - | 0,1 | UA |
| Photocurrent | IL (1) | Lux de Vdd=5V Ev=10 | 3,0 | - | 5,0 | UA |
| Lux de Vdd=5V Ev=30 | 9,0 | - | 15,0 | UA |
| Photocurrent | IL (2)* | Lux de Vdd=5V Ev=100 | 30 | 40 | 50 | UA |
| Tiempo de subida | Tr | VCE=5V IC=1mA RL=1000Ω | 15 | ms |
| Tiempo de caída | Tf | 15 |
Respuesta espectral Vs.Ee actual ligero Corriente oscura Vs.Temperature
■Ejemplo de funcionamiento del circuito del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
■Esquemas dimensionales del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS (unidad del paquete del IR Dector: milímetro)
Especificaciones de la serie del visible para acercar al fotosensor plástico GB3-A1DPS del paquete del IR Dector
Especificaciones
(milímetro) | Modelo | Min Operational Voltage
(v) | Capacidad del rechazo del IR | Actual ligero (UA) | Corriente oscura | Respuesta espectral máxima |
| @ 10 lux | @ 100 lux | @ 200 lux | @ 1000 lux | @ 2000 lux | @ 0 lux |
| ¢3 | LXD/GB3-A1C | 2,0 V | | | | | | | | |
| Iss = 250uA | SÍ | 12,5 | 125 | 250 | - | - | < 1 nA | 520nm |
| ¢5 | LXD/GB5-A1C | 2,0 V | | | | | | | | |
| Iss = 250uA | SÍ | 12,5 | 125 | 250 | - | - | < 1 nA | 520nm |
| ¢3 | LXD/GB3-A2C | 2,0 V | | | | | | | | |
| Iss = 250uA | SÍ | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1 nA | 520nm |
| ¢5 | LXD/GB5-A2C | 2,0 V | | | | | | | | |
| Iss = 250uA | SÍ | - | 15 | - | 150 | 300 | < 1 nA | 520nm |
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPF | 2,0 V | SÍ | 113 | 750 | - | 1318 | - | 4uA | 520nm |
| Iss = 250uA |
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPB | 2,0 V | | | | 240 | | | | |
| IC=20mA, IB=100uA | SÍ | 17 | 170 | - | - | < nA 10 | 850nm |
| ¢5 | LXD/GB5-A1DPM | 2,0 V | | | | 600 | | | | |
| IC=20mA, IB=100uA | SÍ | 30 | 300 | - | - | < nA 10 | 850nm |
