	Especificación	Condición de prueba	TJ	valores de parámetro			Unidad
	Especificación	Condición de prueba	TJ	Mínimo.	Típico	Máximo.	Unidad
Él (sistemas de pesos americanos)	Corriente de la media de Tongtai	Onda sinusoidal en 180℃, 50Hz, disipación de calor de doble cara, TC=85℃	125			55
Él (RMS)	Corriente mala cuadrada de la raíz		125			86
Vdrm	voltaje máximo repetidor del apagado-estado	VDRM y VRRM tp=10rms VDSM Y VRSM= VDRM& VRRM +200V	125	500		2500	V
Vrrm	voltaje reverso máximo repetidor	VDRM y VRRM tp=10rms VDSM Y VRSM= VDRM& VRRM +200V	125	500		2500	V
Idrm	corriente máxima repetidor del apagado-estado	VDM = VDRM VRM= VRRM	125			8	mA
Irrm	corriente máxima repetidor del revés	VDM = VDRM VRM= VRRM	150			8	mA
Itsm	Sobretensión de no-repetición delantera	anchura de la parte inferior 10ms, Vr=0.6Vrrm mitad-sinusoide	125			1,25	KA
² t de I	Producto ajustado del tiempo de la sobretensión		25			7,80	A2S103
Vto	voltaje del umbral		125			0,85	V
rt	resistencia de la cuesta		125			3,47	m
Vtm	voltaje delantero máximo	ITM= 170A	25			1,10	V
dv/dt	Índice crítico de la subida de voltaje del en-estado	VDM=0.67VDRM	125			800	V/us
di/dt	Índice crítico de la subida de corriente del en-estado	IMT=52A Disparador amplitudeIGR=1.5A actual de la puerta Tr≤ actual 0.5us del tiempo de subida de la puerta	125			50	A/us
Igt	corriente del disparador de la puerta	VA=12V, IA=1A	25	30		100	mA
Vgt	voltaje de disparador de la puerta			0,8		2,5	V
Ih	corriente de tenencia			20		150	mA
Vgd	voltaje del no-disparador de la puerta	VDM=0.67VDRM	125	0,2			V
Rth (j-c)	Impedancia termal (nudo a descascar)	180℃ onda sinusoidal, sola disipación de calor lateral				0,530	℃ /W
Rth (c-h)	Impedancia termal (cáscara al radiador)	180℃ onda sinusoidal, sola disipación de calor lateral				0,2	℃ /W
Viso	voltaje del aislamiento			2500			V
Fm	montando el esfuerzo de torsión (M5)				4		Nanómetro
Fm	montando el esfuerzo de torsión (M6)				6		Nanómetro
Tstq	Temperatura de almacenamiento			-40		125	℃
Peso	Calidad	110g					g
esquema	Aspecto	101f

Regulador del poder del SCR de los componentes Skkt162 16e del semiconductor de los módulos de poder del tiristor

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