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Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

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Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

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Número de modelo :SPS03NM15E3 y SPS03NM15
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La energía de los motores de alta tensión es igual a la de los motores de alta tensión, pero es inferior a la de los motores de alta tensión.0

 

MOS discreto de 1500 V 3A en el canal N

 

Las demás: 3A MOSFET 

 

 

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

 

Características:

  • Cambiar rápidamente
  • Baja resistencia de ON
  • Baja carga de la puerta Minimizar la pérdida de conmutación
  • Diodo de cuerpo de recuperación rápida

 

 

Típico Aplicaciones:

  • Adaptador
  • Cargador
  • Potencia de espera SMPS

 

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

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MOSFETO MOSFETO

Característica de salida MOSFET Característica de transferencia MOSFET

IDS=f(VDS), Tvj=25°C IDS=f(VGS), VDS=20V, Tvj=25°C El valor de la corriente de corriente de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal de la señal

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia Fuente de drenaje normalizada sobre la resistencia

RDSon (P.U.) = f (Tvj) RDSon (f (IDS) Tvj = 25°C

El valor de las emisiones de dióxido de carbono en el agua de la fuente de alimentación es el valor de las emisiones de dióxido de carbono en el agua de la fuente.

 

 Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

MOSFET

Característica de carga hacia adelante del MOSFET

El número de unidades de la unidad de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las unidades de control de las emisiones de gases de efecto invernadero.

VDS = 750V, IDS = 3A, Tvj = 25°C

 

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

MOSFET

Característica de capacidad MOSFET Disposición máxima de potencia

C=f (VDS) PD=f (TC)

VGS=0V, Tvj=25°C, f=1MHz

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Área de operación segura de corriente de drenaje máxima con desviación hacia adelante (FBSOA)

ID=f ((TC)

 

 

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MOSFET

MOSFET de impedancia térmica transitoria

Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

 

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Este es un transistor discreto de efecto de campo de óxido metálico semiconductor de canal N (MOSFET) con una tensión nominal de 1500V y una corriente nominal de 3A.Los MOSFET de canal N son dispositivos semiconductores comúnmente utilizados en varias aplicaciones electrónicasEl 1500V indica el voltaje máximo que el dispositivo puede manejar, mientras que el 3A representa la corriente máxima que puede acomodar.En aplicaciones específicas, se debe considerar un circuito de accionamiento adecuado y una disipación de calor para garantizar la fiabilidad y el rendimiento del MOSFET.

 

Paquete las líneas generales 

 

 

Modulo IGBT de 1500 V 3A IGBT discreto N de canal Sic IGBT DS-SPS03NM15E3-S03050001 V1.0

 

Carro de la investigación 0