Categorías de Producto

IGBT Discreto

[2]

Contacta

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

Ciudad:wuxi

Provincia / Estado:jiangsu

País/Región:china

Persona de contacto:MrZhou

Ver detalles de contacto

Contacta

1500V 3A MOSFET módulos de semiconductores discretos de canal N discretos de potencia sólida DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

Preguntar último precio

Número de modelo :SPS03NM15T3PH

Configuración :No casado

Corriente continua del dren (identificación) :30A

voltaje de la Dren-fuente (Vdss) :Las demás:

Voltaje de la Puerta-fuente (VGS) :+/- 20 V

Capacitancia entrada (CISS) :Se trata de una

Estilo de montaje :A través del agujero

Número de canales :No casado

Rango de temperatura de funcionamiento :-55°C a +175°C

Capacidad de salida (coste) :400pF

Tipo de paquete :TO-220AB

Disipación de poder (paladio) :75W

Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs :8.5 mOhm @ 30A, 10V

Capacidad de transferencia inversa (Crss) :300pF

Polaridad del transistor :N-canal

Nombre del producto :Módulos de semiconductores discretos, energía semiconductores discretos, industrias de semiconductor

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

La energía de los motores de alta tensión es igual a la de los motores de alta tensión de los motores de alta tensión.0

Las demás: 3A N-canal MOS Discreto

Características:

Cambiar rápidamente
Baja resistencia de ON
Baja carga de la puerta Minimizar la pérdida de conmutación
Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Típico Aplicaciones:

Adaptador
Cargador

Potencia de espera SMPS

Este es un transistor discreto de efecto de campo de óxido metálico semiconductor de canal N (MOSFET) con una tensión nominal de 1500V y una corriente nominal de 3A.Los MOSFET de canal N son dispositivos semiconductores comunes utilizados en varias aplicaciones electrónicasEl 1500V indica el voltaje máximo que el dispositivo puede soportar, y el 3A representa la corriente máxima que puede manejar.En aplicaciones específicas, se debe considerar un circuito de accionamiento adecuado y una disipación de calor para garantizar la fiabilidad y el rendimiento del MOSFET.

Circuito Diagrama el título

Paquete las líneas generales

Carro de la investigación 0