El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable de los motores de combustión renovable.
Las demás: 12 mΩ Seco MOSFET
Características:
□ Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido
□ Conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas
□ Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
Típico Aplicaciones:
□ Inversores fotovoltaicos
□ Pilas de carga
□ Sistemas de almacenamiento de energía
□ Energía industrial
□ Motores industriales
El número máximo Las calificaciones En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Los valores |
Unidad |
| Voltado de la fuente de drenaje |
VDSmáximo |
VGS = 0V, ID = 100μA |
1200 |
V. |
| Voltado de la fuente de la puerta |
VGSop |
Estático |
-5/+20 |
V. |
| Voltagem máxima de la fuente de la puerta |
VGSmax |
Estático |
-8/+22 |
V. |
|
Corriente de drenaje continua
|
Identificación
|
VGS = 20V, Tc = 25°C |
214 |
A. No
|
| VGS = 20V, Tc = 100°C |
151 |
| Corriente de drenaje pulsado |
ID (pulso) |
Ancho de pulso tp limitado por Tjmax |
400 |
A. No |
| Disposición del poder |
PD |
TC = 25°C, Tj = 175°C |
938 |
No |
| Rango de cruce de operación |
Tj |
|
-55 a +175 |
°C |
| Rango de temperatura de almacenamiento |
Tstg |
|
-55 a +175 |
°C |
Eléctrico Características En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Los valores
- ¿Qué es eso? Es un tipo. Es el máximo.
|
Unidad |
| Tensión de ruptura de la fuente de drenaje |
V (BR) DSS |
VGS = 0V, ID = 100μA |
1200 |
- |
- |
V. |
| Tensión de umbral de la puerta |
VGS (h)
|
VDS = VGS, ID = 40mA |
2.0 |
2.7 |
3.5 |
V. |
| VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C. El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
- |
1.9 |
- |
| Corriente de descarga de voltaje de puerta cero |
El IDSS |
VDS = 1200V, VGS = 0V |
- |
2 |
100 |
MPa |
| Corriente de fuga de la fuente de la puerta |
El IGSS |
VGS = 20V, VDS = 0V |
- |
10 |
100 |
nA |
|
Resistencia en el estado de la fuente de drenaje
|
RDS (encendido)
|
VGS = 20V, ID = 100A |
- |
12 |
20 |
mΩ
|
| VGS = 20V, ID = 100A, Tj = 175°C |
- |
20 |
- |
| VGS=18V, ID=100A |
- |
13 |
25 |
| VGS = 18V, ID = 100A, Tj = 175°C |
- |
21 |
- |
| Transconductividad |
GFS
|
VDS = 20V, IDS = 100A |
- |
60 |
- |
El S |
| VDS = 20V, IDS = 100A, Tj = 175°C |
- |
52 |
- |
|
Energía de conmutación de encendido (FWD del diodo de cuerpo)
|
Eón
|
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S
|
-
|
5.2
|
-
|
MJ
|
| Energía de conmutación de apagado (FWD del diodo de cuerpo) |
¿Qué es eso?
|
- |
3.7 |
- |
|
Tiempo de retraso de encendido
|
En línea.
|
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH
|
-
|
24
|
-
|
n y
|
| Es hora de levantarse |
tr |
- |
149 |
- |
| Tiempo de retraso de apagado |
Td (apagado) |
- |
145 |
- |
| Tiempo de otoño |
Tf |
- |
49 |
- |
|
Carga de puerta a la fuente
|
Cuotas
|
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A
|
-
|
215
|
-
|
nC
|
| Carga de puerta a desagüe |
Qgd |
- |
179 |
- |
| Cargo total de la puerta |
Cuota de trabajo |
- |
577 |
- |
| Capacidad de entrada |
- ¿ Qué?
|
VGS = 0V, VDS = 1000V
f=1MHz VAC=25mV
|
- |
8330 |
- |
pF
|
| Capacidad de salida |
- ¿ Qué? |
- |
343 |
- |
| Capacidad de transferencia inversa |
El Sr. |
- |
57 |
- |
| COSS Energía almacenada |
- ¿ Qué? |
- |
217 |
- |
MJ |
| Resistencia de la puerta interna |
RG ((int)
|
f=1MHz, VAC=25mV |
- |
0.8 |
- |
Oh |
En el reverso Diodo Características En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo El símbolo |
Condiciones |
Los valores Unidad
- ¿Qué es eso? Es un tipo. Es el máximo.
|
| Tensión del diodo hacia adelante |
El VSD
|
VGS = 5V, ISD = 50A |
- |
4.7 |
7 |
V. |
| VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C. El valor de la corriente es el valor de la corriente. |
- |
3.8 |
- |
V. |
| Corriente de diodo continuo hacia adelante |
Se encuentra
|
VGS=-5V |
- |
214 |
- |
A. No |
| Tiempo de recuperación inverso |
trr |
VGS=-5V, |
- |
46 |
- |
n y |
| Impuesto de recuperación inverso |
¿Qué quieres decir? |
el número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga, |
- |
1 |
- |
nC |
| Corriente de recuperación inversa máxima |
No |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros se determinarán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros. |
- |
37 |
- |
A. No |
En el reverso Diodo Características En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo El símbolo |
Condiciones |
Los valores Unidad |
| Resistencia térmica desde el cruce hasta el estuche |
RθJC |
|
- |
0.16 |
- |
°C/W |
| Resistencia térmica desde la unión al ambiente |
RθJA
|
|
- |
32 |
- |
°C/W |
Desempeño típico
Desempeño típico
Desempeño típico
Desempeño típico
Desempeño típico
Este es un MOSFET de carburo de silicio (SiC) de 1200 V con una resistencia en estado de funcionamiento de 12 miliohms (12mΩ).que los hace adecuados para aplicaciones electrónicas de alta eficiencia como los convertidores de alta frecuencia y los vehículos eléctricos.
Paquete Esquema: TO-247-4L
