La energía de los motores de alta tensión es igual a la de los motores de alta tensión de los motores de alta tensión.0.
Las demás: 75 mΩ Seco MOSFET
Características:
□ Alta tensión de bloqueo con baja resistencia de encendido
□ Conmutación de alta velocidad con capacitancias bajas
□ Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
Típico Aplicaciones:
□ Inversores fotovoltaicos
□ Pilas de carga
□ Sistemas de almacenamiento de energía
□ Energía industrial
□ Motores industriales
El número máximo Las calificaciones En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Los valores |
Unidad |
| Voltado de la fuente de drenaje |
VDSmáximo |
VGS = 0V, ID = 100μA |
1200 |
V. |
| Voltado de la fuente de la puerta |
VGSop |
Estático |
-5/+20 |
V. |
| Voltagem máxima de la fuente de la puerta |
VGSmax |
Estático |
-8/+22 |
V. |
|
Corriente de drenaje continua
|
Identificación
|
VGS = 20V, Tc = 25°C |
47 |
A. No |
| VGS = 20V, Tc = 100°C |
33 |
|
| Corriente de drenaje pulsado |
ID (pulso) |
Ancho de pulso tp limitado por Tjmax |
70 |
A. No |
| Disposición del poder |
PD |
TC=25.C, Tj=175°C |
288 |
No |
| Rango de cruce de operación |
Tj |
|
-55 a +175 |
°C |
| Rango de temperatura de almacenamiento |
Tstg |
|
-55 a +175 |
°C |
Eléctrico Características En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
Los valores
- ¿Qué es eso? Es un tipo. Es el máximo.
|
Unidad |
| Tensión de ruptura de la fuente de drenaje |
V (BR) DSS |
VGS = 0V, ID = 100μA |
1200 |
- |
- |
V. |
|
Tensión de umbral de la puerta
|
VGS (h)
|
VDS = VGS, ID = 5mA |
2.0 |
2.8 |
3.5 |
V.
|
| VDS=VGS, ID=5mA, Tj=175.C |
- |
1.9 |
- |
| Corriente de descarga de voltaje de puerta cero |
El IDSS |
VDS = 1200V, VGS = 0V |
- |
1 |
100 |
MPa |
| Corriente de fuga de la fuente de la puerta |
El IGSS |
VGS = 20V, VDS = 0V |
- |
10 |
100 |
nA |
|
Resistencia en el estado de la fuente de drenaje
|
RDS (encendido)
|
VGS = 20V, ID = 20A |
- |
75 |
90 |
mΩ
|
| VGS = 20V, ID = 20A, Tj = 175.C |
- |
133 |
- |
| VGS = 18V, ID = 20A |
- |
82 |
120 |
| VGS=18V, ID=20A, Tj=175.C |
- |
137 |
- |
|
Transconductividad
|
GFS
|
VDS = 20V, IDS = 20A |
- |
10 |
- |
El S
|
| VDS = 20V, IDS = 20A, Tj = 175.C |
- |
11 |
- |
|
Energía de conmutación de encendido (FWD del diodo de cuerpo)
|
Eón
|
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH, Tj=25.C
FWD = SPS75MA12E4S
|
-
|
343
|
-
|
MJ
|
| Energía de conmutación de apagado (FWD del diodo de cuerpo) |
¿Qué es eso?
|
-
|
97
|
-
|
|
Tiempo de retraso de encendido
|
En línea.
|
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A,RG(ext)=2.5Ω, L=200μH
|
-
|
6
|
-
|
n y
|
|
Es hora de levantarse
|
tr
|
-
|
22
|
-
|
| Tiempo de retraso de apagado |
Td (apagado) |
- |
20 |
- |
| Tiempo de otoño |
Tf |
- |
10 |
- |
|
Carga de puerta a la fuente
|
Cuotas
|
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A
|
-
|
35
|
-
|
nC
|
|
Carga de puerta a desagüe
|
Qgd
|
| - |
25 |
- |
| Cargo total de la puerta |
Cuota de trabajo |
- |
87 |
- |
| Capacidad de entrada |
- ¿ Qué? |
VGS = 0V, VDS = 1000V f = 1MHz, VAC = 25mV
|
- |
1450 |
- |
pF
|
| Capacidad de salida |
- ¿ Qué? |
- |
66 |
- |
| Capacidad de transferencia inversa |
El Sr. |
- |
13 |
- |
| COSS Energía almacenada |
- ¿ Qué? |
- |
40 |
- |
MJ |
|
Resistencia de la puerta interna
|
RG ((int)
|
f=1MHz, VAC=25mV
|
-
|
2.4
|
-
|
Oh
|
En el reverso Diodo Características En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo |
El símbolo |
Condiciones |
- ¿Qué es eso?
|
Los valores Es un tipo. |
Es el máximo.
|
Unidad |
|
Tensión del diodo hacia adelante
|
El VSD
|
VGS = 5V, ISD = 10A |
- |
4.9 |
7 |
V. |
| VGS=-5V, ISD=10A, Tj=175.C |
- |
4.0 |
- |
V. |
| Corriente de diodo continuo hacia adelante |
Se encuentra
|
VGS=-5V
|
-
|
46
|
-
|
A. No
|
| Tiempo de recuperación inverso |
trr |
VGS=-5V, |
- |
22 |
- |
n y |
| Impuesto de recuperación inverso |
¿Qué quieres decir? |
el ISD=20A, |
- |
397 |
- |
nC |
| Corriente de recuperación inversa máxima |
No |
Las emisiones de gases de efecto invernadero de las instalaciones eléctricas de los Estados miembros se determinarán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
- |
29 |
- |
A. No |
En el reverso Diodo Características En el caso de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas de la familia de las plantas (salvo que de lo contrario especificado)
| Punto de trabajo El símbolo |
Condiciones |
Los valores Unidad |
| Resistencia térmica desde el cruce hasta el estuche |
RθJC |
|
- |
0.5 |
- |
°C/W |
Típico Desempeño
Típico Desempeño
Típico Desempeño
Típico Desempeño
Típico Desempeño
Se trata de un transistor de efecto de campo de óxido de silicio (SiC) de metal-semiconductor (MOSFET) con una tensión nominal de 1200V y una resistencia en estado (RDS(on)) de 75 miliohms (75mΩ).Los MOSFET de SiC son conocidos por su capacidad de alto voltaje y baja resistencia en estado, por lo que son adecuados para aplicaciones electrónicas de potencia eficiente como los convertidores de alta frecuencia y los vehículos eléctricos.La resistencia en estado activo de 75 mΩ indica pérdidas de potencia relativamente bajas durante la conducción, contribuyendo a mejorar la eficiencia en aplicaciones de alta potencia.
Paquete Esquema: Se trata de un sistema de control de las emisiones de CO2
