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Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

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Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

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Número de modelo :SPS100B12G3H6
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El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable se calculará en función de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable.

 

Las demás: Las demás: IGBT La mitad Puente Módulo

 

Las demás: Las demás: IGBT 

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

Características:

 

D Tecnología de frenado de campo de 1200 V

□ Diodos de rueda libre con recuperación inversa rápida y suave

□ VCE (sat)con un coeficiente de temperatura positivo

□ Bajas pérdidas por cambio

 

 

 

TípicoAplicaciones: 

 

□ Soldadura

 

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

Un "1200V 100A IGBT" es un transistor bipolar de puerta aislada diseñado para aplicaciones que requieren control sobre niveles de voltaje y corriente moderados a altos.Comúnmente utilizado en sistemas de alta potencia como motores y inversoresPara obtener un rendimiento óptimo, se requiere una refrigeración eficaz.

 

 

 

Producción Característica (típica) Producción característico (típico)

Yo...C. Las= f (V)Sección 2) IC. Las= f (V)Sección 2) TVj= 150°C

 

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                                                                                                                   IGBT

Transferencia Característica (típica) Cambio pérdidas IGBT(típico)

Yo...C. Las= f (V)GE) E = f (RG.)

V.Sección 2= 20 V VGE= ± 15 V, IC. LasEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:Sección 2El valor de las emisiones de CO2

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El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga.

 Cambiar pérdidas IGBT(típico) Al revés el sesgo seguro funcionamiento Área (RBSOA)

E = f (I)C. Las) IC. Las=f (V)Sección 2)

V.GESe aplicará el método siguiente:G.= 10Ω, VSección 2El valor de las emisiones de CO2GESe aplicará el método siguiente:- ¿ Por qué?= 10Ω, TVj= 150°C

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

 

 

 

Típico capacidad como a) el Función de las colector emisor Puerta de voltaje Carga(típico)

C = f (V)Sección 2) VGE= f (Q)G.)

f = 100 kHz, VGE= 0V IC. LasEl valor de las emisiones de CO2Sección 2El valor de las emisiones de CO2

 

 

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IGBT

IGBT transitorio térmico impedancia como a) el Función de las pulso ancho hacia adelante característico de las Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) IF: el precio= f (V)F: el precio)

 

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   Cambiar pérdidas Diodo (típico) Conmutación pérdidas Diodo (típico)

¿ Qué es?Recesión= f (R)G.) ERecesión= f (I)F: el precio)

Yo...F: el precioEl valor de las emisiones de CO2 es el siguiente:Sección 2El valor de la corriente eléctricaG.= 10Ω, VSección 2El valor de las emisiones de CO2

                                                                

 

Modulo de Mosfet de puente de 1200V 100A H DS-SPS100B12G3H6-S04010019

 

 

Diodo transitorio térmico impedancia como a) el Función de las pulsoancho

Zth(j-c) = f (t)

 

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El módulo de medio puente IGBT de 1200V 100A integra dos IGBT en una configuración de medio puente, adecuado para aplicaciones que requieren niveles de potencia moderados.Proporciona un control preciso sobre el voltaje (1200V) y la corriente (100A)Las especificaciones detalladas se pueden encontrar en la ficha de datos del fabricante.

 

Circuito Diagrama el título 

 

 

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Paquete las líneas generales 

 

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Dimensiones en mm

En el caso de los

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