Tianjin JHBF Optoelectronics Co., Ltd.

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Janhoo 1310nm Butterfly SOA Semiconductor Amplificador óptico

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Tianjin JHBF Optoelectronics Co., Ltd.
Ciudad:tianjin
Provincia / Estado:tianjin
País/Región:china
Persona de contacto:MsChen
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Janhoo 1310nm Butterfly SOA Semiconductor Amplificador óptico

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Número de modelo :Las condiciones de las pruebas de ensayo deberán ser las siguientes:
Lugar de origen :Tianjin
Detalles del embalaje :1 pieza en 1 dibujo animado
Capacidad de suministro :200 pedazos/pedazos por Mes
El tipo :con una capacidad de transmisión superior a 100 W
el uso :comunicación óptica
Tiempo de garantía :3 años
Red :No hay
Puerto :- ¿ Qué pasa?
Nombre del producto :Amplificador óptico de semiconductores Janhoo
Aplicación :Amplificador óptico de semiconductores
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Janhoo 1310nm Butterfly SOA Semiconductor Amplificador óptico
1310 Amplificador óptico semiconductor SOA
¿Qué quieres decir?Los amplificadores ópticos de semiconductores (SOAs) de 1310nm están diseñados para obtener una ganancia alta, alta potencia, bajo PDL y amplitud de banda ancha.
banda SOA que entra en el estándar GR-468-CORE.

Amplificador óptico de semiconductores JanhooAplicaciones

* Los amplificadores ópticos semiconductores (SOA) en paquetes de mariposa o caja pequeña se aplican a la amplificación de alta velocidad 40G/100G LWDM.
* Mejorar el presupuesto de potencia óptica, integrar en ROSA y TOSA de transceptor óptico 100G.
*Puede integrarse en dispositivos fotónicos integrados basados en silicio, compensando la pérdida de señales ópticas de 1310 nm.
¿Qué quieres decir?Amplificador óptico de semiconductoresCaracterísticas típicas
Janhoo 1310nm Butterfly SOA Semiconductor Amplificador óptico
Janhoo 1310nm Butterfly SOA Semiconductor Amplificador óptico
¿Qué quieres decir?Amplificador óptico de semiconductoresEspecificaciones ((temperatura de la viruta @25°C)
Parámetro
El símbolo
Condición
- ¿Qué es eso?
Es un tipo.
- ¿Qué quieres decir?
Unidad
Corriente de accionamiento
Si es
 
- - -
250
350
- ¿Qué es?
Largura de onda de funcionamiento
El
T=25°C
1260
1310
1340
nm
Ancho de banda óptico de 3 dB
Dλ3dB
@-3dB
40
70
- - -
nm
Pequeña ganancia de señal
Gmáx
Si = 120 mA
Pín=-25 dBm
25
- - -
- - -
Db
Obtener Ripple
Dirección General
 
 
0.5
1
Db
Potencia de salida de saturación
Psat
Si = 120 mA
10
- - -
- - -
Dbm
Figura del ruido
NF y NF
 
- - -
7.5
- - -
Db
Ganancias dependientes de la polarización
Dirección General
 
- - -
1.0
2.0
Db
Corriente de accionamiento TEC
ITEC
 
 
- - -
1.8
A. No
TEC Tensión del accionamiento
VTEC
 
 
- - -
3.4
V.
Resistencia del termistor
El térmico
T=25°C
9.5
10
10.5
Apertura al aire
 
T=25°C
1*10-12
1*10-11
1*10-8
Pa.m3/s
Consumo de energía
P
- - -
- - -
- - -
4
No
Temperatura de trabajo
TC
I=Iop
-10 años
- - -
70
°C
Temperatura de almacenamiento
Tstg
- - -
-40 años.
- - -
85
°C
Amplificador óptico de semiconductores JanhooEstructura
Janhoo 1310nm Butterfly SOA Semiconductor Amplificador óptico
Carro de la investigación 0