La subtarjeta modular CS200 es una unidad de medición de fuente digital de un solo canal de alta precisión (SMU) diseñada para sistemas anfitriones modulares de varias ranuras.esta subcartilla integra el suministro de voltaje/corriente, funciones voltímetro/améter y capacidades de carga electrónica en un solo módulo.Permite la obtención y medición simultáneas de corriente/voltaje, lo que lo hace ideal para tareas complejas de caracterización eléctrica como el análisis paramétrico de semiconductores y la validación de dispositivos de potencia.

Características del producto

▪ ¿Cómo?Precisión:0.1% de exactitud de la fuente/medición con una resolución de 51⁄2 dígitos.

▪ ¿Cómo?Rango de acción:La tensión es de 300 mV ≈ 100 V, la corriente es de 100 nA ≈ 1 A, la potencia máxima es de 30 W.

▪ ¿Cómo?Modos de funcionamiento:Operación de cuatro cuadrantes tanto para abastecimiento como para carga electrónica.

▪ ¿Cómo?Escalabilidad:Compatible con los hosts Pusces 1003CS (3 ranuras) y 1010CS (10 ranuras).

▪ ¿Cómo?Control de varios canales:El bus de disparo permite el escaneo sincronizado o el funcionamiento independiente a través de las subtarjetas.

▪ ¿Cómo?Modos de escaneo:Escaneo de curvas IV lineal, exponencial y personalizado para caracterización compleja.

▪ ¿Cómo?Interfaces:RS-232, GPIB y Ethernet para una integración perfecta en sistemas de ensayo automatizados.

Parámetros del producto

Las partidas	Parámetros
Número de canales	1 canal
Rango de tensión	300 mV a 100 V
Resolución de tensión mínima	30 uV
Rango de corriente	100 nA¿Qué quieres decir?1a
Resolución mínima de corriente	10 pA
Potencia de salida máxima de onda continua (CW)	30 W, fuente de 4 cuadrantes o modo sumidero
Límites de la fuente de voltaje	±30V (para el rango ≤ 1A), ±100V (para el rango ≤ 100mA)
Límites actuales de las fuentes	±1A (para el rango ≤ 30V), ±100mA (para el rango ≤ 100V)
Capacidad de carga estable	< 22nF
Ruido de banda ancha (20MHz)	2mV RMS (valor típico), < 20mV Vp-p (valor típico)
Tasa máxima de muestreo	1000 S/s
Precisión de medición de la fuente	0.10%
Anfitriones con los que es compatible	1003C,1010C

Aplicaciones

▪ ¿Cómo?Pruebas de dispositivos semiconductores:IV Caracterización y análisis paramétrico de dispositivos discretos (diodos, BJT, MOSFET, dispositivos SiC).

▪ ¿Cómo?Evaluación de sensores, incluida la medición de la resistividad y el análisis del efecto Hall.Materiales y energía avanzados▪ ¿Cómo?Tecnologías:Caracterización de las propiedades eléctricas de los nanomateriales (grafeno, nanocables) y los materiales orgánicos (tinta electrónica).Evaluación de la eficiencia y evaluación del envejecimiento de las células solares, los LED y los AMOLED.

▪ ¿Cómo?Aplicaciones industriales y de investigación:Sistemas de ensayo paralelo multicanal para ensayo del ciclo de la batería y validación de la eficiencia del convertidor CC-CC.Soluciones de ensayo de alta densidad (por ejemplo,Pruebas a nivel de oblea) a través de la colaboración de múltiples subtarjetas para mejorar el rendimiento.

Carro de la investigación 0