La subtarjeta modular CS300 es un miembro central de las Unidades de Medición de Fuentes (SMU) de alta precisión de la serie CS, diseñadas para la caracterización eléctrica de alto voltaje y alta precisión.Como módulo SMU de un solo canal, se integra a la perfección en los sistemas anfitriones 1003CS o 1010CS, soportando operaciones de cuatro cuadrantes (modos de abastecimiento / hundimiento) para satisfacer las demandas de ensayo de precisión en dispositivos semiconductores, nanomateriales,con una potencia máxima de 300V/1A, combinada con un amplio rango dinámico y un disparador sincronizado,ofrece una estabilidad excepcional en escenarios de ensayo complejos, como los ensayos de tensión de los dispositivos de alimentación y el análisis de materiales de película delgada..

Características del producto

▪ ¿Cómo?Conjunto de comandos estándar de SCPI:Simplifica la integración de automatización y el script personalizado.

▪ ¿Cómo?Flexibilidad para múltiples subtarjetas:Arquitectura escalable para las configuraciones de pruebas paralelas.

▪ ¿Cómo?Software de host optimizado:Software de host universal preinstalado con latencia de comando de < 10 ms.

▪ ¿Cómo?Ecosistema de pruebas de extremo a extremo:Soluciones unificadas que abarcan desde materiales semiconductores hasta validación de dispositivos.

▪ ¿Cómo?Modularidad eficiente en el espacio:El diseño de 1 U de altura maximiza la densidad de los racks al tiempo que minimiza la huella.

Parámetros del producto

Las partidas	Parámetros
Número de canales	1 canal
Rango de tensión	300 mV ~ 300 V
Resolución de tensión mínima	30 uV
Rango de corriente	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero
Resolución mínima de corriente	10 pA
Potencia de salida máxima de onda continua (CW)	30 W, fuente de 4 cuadrantes o modo sumidero
Límites de la fuente de voltaje	±30V (para el rango ≤ 1A), ±300V (para el rango ≤ 100mA)
Límites actuales de las fuentes	±1A (para el rango ≤30V), ±100mA (para el rango ≤300V)
Capacidad de carga estable	< 22nF
Ruido de banda ancha (20MHz)	2mV RMS (valor típico), < 20mV Vp-p (valor típico)
Tasa máxima de muestreo	1000 S/s
Precisión de medición de la fuente	0.10%
Anfitriones con los que es compatible	Las demás partidas del anexo II

Aplicaciones

▪ ¿Cómo?Pruebas de dispositivos semiconductores:Caracterización IV y ensayo de parámetros dinámicos de dispositivos discretos (MOSFET, BJT, dispositivos SiC).

▪ ¿Cómo?Investigación sobre nanomateriales y productos orgánicos:Evaluación de la conductividad y las propiedades del portador de carga para el grafeno, los nanocables y los materiales semiconductores orgánicos.

▪ ¿Cómo?Validación de la eficiencia energética del dispositivo:Análisis de la eficiencia y caracterización de la regulación de la carga de las células solares y los convertidores CC-CC. Pruebas de sensores y componentes de precisión.Validación del sensor de efecto Hall, medición de la resistividad,y ensayos de estabilidad a largo plazo para dispositivos de baja potencia.

Carro de la investigación 0