Wuhan Precise Instrument Co., Ltd.

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Unidad de medición de la fuente de pulso de 18V 1A de cuatro canales de tarjeta de subcarácter CBI403 SMU

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Wuhan Precise Instrument Co., Ltd.
Ciudad:wuhan
País/Región:china
Persona de contacto:MrsPrecise SMU
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Unidad de medición de la fuente de pulso de 18V 1A de cuatro canales de tarjeta de subcarácter CBI403 SMU

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Lugar de origen :porcelana
Cantidad mínima de pedido :1 Unidad
Detalles del embalaje :En cartón.
Tiempo de entrega :Entre 2 y 8 semanas
Condiciones de pago :T/T
Número de modelo :CBI403
Capacidad de suministro :500 SET/MONTH
Número de canales :4 canales
rango de tensión :1 ~ 18V
Rango de corriente :5uA1A
Potencia de salida máxima :10W/CH ((DC/Plus)
Resolución de ancho de pulso programable :1μS
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Unidad de medición de la fuente de pulso de 18V 1A de cuatro canales de tarjeta de subcarácter CBI403 SMU

La subtarjeta modular CBI401 es un miembro de la familia de unidades de medición de fuentes (SMU) de la serie CS, diseñada para una caracterización eléctrica de alta precisión y alto rango dinámico.Su arquitectura modular permite una integración flexible con los sistemas host 1003CS (3 ranuras) y 1010CS (10 ranuras)Cuando se combina con el host 1010CS, los usuarios pueden configurar hasta 40 canales sincronizados,Mejora drástica del rendimiento de los ensayos para aplicaciones como la validación a nivel de obleas de semiconductores y los ensayos de esfuerzo paralelos con varios dispositivos.

 

Características del producto

▪ ¿Cómo?Fuente de suministro/medida de alta precisión:0precisión del 0,1% con resolución de 51⁄2 dígitos en los rangos de voltaje/corriente completos.

▪ ¿Cómo?Operación Cuatro Cuadrantes:Soporta modos de abastecimiento / hundimiento (± 10V, ± 1A) para perfilar dispositivos dinámicos.

▪ ¿Cómo?Modos de ensayo dobles:Operación pulsada y de CC para la caracterización flexible de comportamientos transitorios y de estado estacionario.

▪ ¿Cómo?Alta densidad de canales:4 canales por subcartilla con arquitectura de tierra compartida, lo que permite configuraciones de pruebas paralelas densas.

▪ ¿Cómo?Bus de activación configurable:Sincronización de múltiples tarjetas secundarias mediante señales de activación programables para flujos de trabajo coordinados entre varios dispositivos.

▪ ¿Cómo?Modos de escaneo avanzados:Protocolos de escaneo de curvas IV lineales, exponenciales y definidos por el usuario.

▪ ¿Cómo?Conectividad multiprotocolo:Interfaces RS-232, GPIB y Ethernet para una integración perfecta en sistemas de ensayo automatizados.

▪ ¿Cómo?Modularidad eficiente en el espacio:El diseño de altura de 1U optimiza la utilización del espacio de los racks al tiempo que admite una expansión escalable del canal.

 

Parámetros del producto

Las partidas

Parámetros

Número de canales

4 canales

Rango de tensión

1 ~ 18V

Resolución de tensión mínima

Las demás:

Rango de corriente

5uA1A

Resolución mínima de corriente

200nA

Ancho mínimo del pulso

100 μs, ciclo máximo de trabajo 100%

Límites máximos de corriente

Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de energía eléctrica de la Unión se calcularán en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Resolución de ancho de pulso programable

1 μs

Potencia de salida máxima de onda continua (CW)

10 W, fuente de 4 cuadrantes o modo sumidero

Potencia de salida máxima de pulso (PW)

10 W, fuente de 4 cuadrantes o modo sumidero

Capacidad de carga estable

< 22nF

Ruido de banda ancha (20MHz)

2mV RMS (valor típico), < 20mV Vp-p (valor típico)

Tasa máxima de muestreo

1000 S/s

Precisión de medición de la fuente

0.10%

Anfitriones con los que es compatible

Las demás partidas del anexo II

 

Aplicaciones

▪ ¿Cómo?Caracterización del nanomaterial:Pruebas de propiedades eléctricas de grafeno, nanocables y otros nanomateriales, proporcionando datos críticos para avanzar en la I + D y las aplicaciones de materiales.

▪ ¿Cómo?Análisis de material orgánico:Caracterización eléctrica de la tinta electrónica y la electrónica impresa, apoyando la innovación en tecnologías electrónicas orgánicas.

▪ ¿Cómo?Pruebas de energía y eficiencia:Optimización del rendimiento y validación de la eficiencia de los LED/AMOLED, las células solares, las baterías y los convertidores CC-CC.

▪ ¿Cómo?Pruebas discretas de semiconductores:Caracterización eléctrica integral de las resistencias, diodos (Zener, PIN), BJT, MOSFET y dispositivos SiC para garantizar el cumplimiento de las normas de calidad.

▪ ¿Cómo?Evaluación del sensor:Pruebas de resistividad y efecto Hall para la investigación y desarrollo de sensores, producción y control de calidad.

▪ ¿Cómo?Envejecimiento por láser de baja potencia:Pruebas de fiabilidad a largo plazo para los VCSEL y los láseres mariposa, seguimiento de la degradación del rendimiento para evaluar la vida útil y la estabilidad operativa.

 


Carro de la investigación 0