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Uso protegido de gran intensidad de la PC del inductor NRS2012T4R7MGJ del centro magnético del poder

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País/Región:china
Persona de contacto:MrNick Chou
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Uso protegido de gran intensidad de la PC del inductor NRS2012T4R7MGJ del centro magnético del poder

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Número de modelo :NRS2012T4R7MGJ
Lugar del origen :Guangdong, Shenzhen
Cantidad de orden mínima :500/1000
Condiciones de pago :TT, paypal, Unión Occidental
Capacidad de la fuente :1kk-pcs/month
Plazo de expedición :Acción o 3 semanas
Detalles de empaquetado :Carrete/bandeja
Nombre de producto :Inductor protegido de gran intensidad del centro magnético del poder de NRS2012T4R7MGJ
Uso :PC
ESCUDO :Protegido
Inductor :Inductor del centro magnético
Tamaño :2.0x2.0x1.2m m
Inductancia :4,7
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Inductor protegido de gran intensidad del centro magnético del poder de NRS2012T4R7MGJ


Descripción:

Generalmente, los inductores en circuitos electrónicos son bobinas del aire-corazón o bobinas con los centros magnéticos, que pueden soportar solamente corrientes relativamente bajas y soportar bajas tensiones. Los inductores del poder también tienen bobinas huecos y centros magnéticos. La característica principal está al uso de la bobina de alambre espeso que puede soportar diez de los amperios, de los centenares, de los millares, o aún de decenas de miles de amperios.
Los inductores del microprocesador del poder se dividen en dos tipos, con y sin la cubierta magnética, que se compone principalmente del centro magnético y del alambre de cobre. Desempeña principalmente el papel de la filtración y de la oscilación en el circuito [1].

Hay cuatro tipos principales de inductores del microprocesador: inductores del microprocesador de la herida del alambre, laminado, trenzado y fino de la película. Dos tipos son de uso general: herida del alambre y laminado. El anterior es el producto de la miniaturización de inductores heridos tradicionales; este último es producido por proceso de producción de impresión de múltiples capas de la tecnología y de la laminación, y su volumen es más pequeño que el de los inductores heridos del microprocesador.

 

Número de parte NRS2012T4R7MGJ
Tipo de la parte Wirewound
Material-corazón Ferrita
Inductancia 4.7uH
Tolerancia el ±20%
Grado actual (amperios) 910 mA
Actual - saturación (Isat)  900mA
El proteger Protegido
DCR mohm 241 máximo
Temperatura de funcionamiento  -25℃ ~ 120℃
Frecuencia de la inductancia 100 kilociclos
Montaje del tipo SMD
Dimensión 2.00m m (L)*2.0mm (W)*1.2mm (h)


Dimensiones:

Uso protegido de gran intensidad de la PC del inductor NRS2012T4R7MGJ del centro magnético del poder

Uso protegido de gran intensidad de la PC del inductor NRS2012T4R7MGJ del centro magnético del poder

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