Productos
proveedores
Sign in
Register
SHAREWAY TECHNOLOGY CO., LTD.
Comparte nuestra manera exitosa contigo
Manufacturer from China
Evaluación de proveedor
8 Años
Casa
Catalogo de productos
Perfil de la compañía
Control de calidad
Contáctenos
Solicitud de una cuota
Español
English
Français
Русский язык
日本語
Português
Transformador del tiempo de retorno de SMPS (672)
poder sobre el transformador de Ethernet (189)
Estrangulación común del modo (305)
Inductor de potencia SMD (455)
Cambie el transformador del modo (41)
Transformador de la impulsión de la puerta (165)
Pequeño transformador de la señal (130)
Transformadores magnéticos de Ethernet (211)
Transformador del Lan de Ethernet (119)
A través del inductor del agujero (68)
rj45 Jack modular (91)
Perfil bajo RJ45 Jack (18)
Conector RJ45 de POE (44)
RJ45 magnético Jack (43)
Casa
/
Productos
/
SMD Power Inductor
/
dispositivos de comunicación inalámbricos de alta frecuencia aptos del inductor del poder de 45281C SMD
/
show pictures
Categorías de Producto
Transformador del tiempo de retorno de SMPS
[672]
poder sobre el transformador de Ethernet
[189]
Estrangulación común del modo
[305]
Inductor de potencia SMD
[455]
Cambie el transformador del modo
[41]
Transformador de la impulsión de la puerta
[165]
Pequeño transformador de la señal
[130]
Transformadores magnéticos de Ethernet
[211]
Transformador del Lan de Ethernet
[119]
A través del inductor del agujero
[68]
rj45 Jack modular
[91]
Perfil bajo RJ45 Jack
[18]
Conector RJ45 de POE
[44]
RJ45 magnético Jack
[43]
Contacta
SHAREWAY TECHNOLOGY CO., LTD.
Visita el sitio web
País/Región:
china
Persona de contacto:
MrNick Chou
Ver detalles de contacto
Contacta
dispositivos de comunicación inalámbricos de alta frecuencia aptos del inductor del poder de 45281C SMD
Productos detallados
Inductor 45281C del poder de SMD para los dispositivos de comunicación inalámbricos de alta frecuencia CARACTERÍSTICAS: RoHS obediente 0.28μH a 1.0mH ...
Ver productos detallados →
Etiquetas de productos:
inductor del rf
transformador del rf
Lista de transistores de potencia rf