Condensador Co., Ltd de Shenzhen Weitaixu

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Chip de memoria 32 K X de DS1230Y 150 256kb Ic 8 150 temporeros comerciales del Ns no volátiles

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Condensador Co., Ltd de Shenzhen Weitaixu
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MissShea Wang
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Chip de memoria 32 K X de DS1230Y 150 256kb Ic 8 150 temporeros comerciales del Ns no volátiles

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Brand Name :Maxim Integrated
Model Number :DS1230Y-150+
Certification :Original Part
Place of Origin :Shenzhen, China
MOQ :1PCS
Price :Negotiation
Payment Terms :T/T, Western Union, Paypal, Wechat Pay
Supply Ability :1 Million pieces per Month
Delivery Time :2~5 Working Days (Subjected to availability of Stock)
Packaging Details :DIP-28
Packaging :DIP-28
Product Type :Integrated Circuit IC Chip
Datasheet :256kb (32 k x 8) 150 ns Commercial Temp Non-Volatile SRAM - DIP-28
other name :ic memory chip
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DS1230Y-150+ 256kb (32 k x 8) 150 temporeros comerciales SRAM permanente - DIP-28 del ns
 

 

 

Descripción:

 

Los DS1230 256k SRAMs permanente son 262.144 el pedazo, SRAMs completamente estático, permanente organizado como 32.768 palabras por 8 pedazos.

Cada nanovoltio SRAM tiene un conjunto de circuitos autónomo de la fuente y del control de energía del litio que supervise constantemente VCC para

condición de la hacia fuera-de-tolerancia. Cuando ocurre tal condición, se enciende la fuente de energía del litio automáticamente y

escriba la protección incondicional se permite prevenir el daño en los datos. los dispositivos del Inmersión-paquete DS1230 se pueden utilizar adentro

lugar de 32k existente x 8 espolones estáticos directamente conforme al estándar bytewide popular de la INMERSIÓN de 28 pernos. Los dispositivos de la INMERSIÓN

también haga juego el pinout de 28256 EEPROMs, permitiendo la substitución directa mientras que aumenta funcionamiento. Dispositivos DS1230

en el paquete del módulo del perfil bajo se diseñan específicamente para los usos del superficie-soporte. No hay límite en

el número de escribe los ciclos que pueden ser ejecutados y no se requiere ningún conjunto de circuitos de la ayuda adicional para la interconexión del microprocesador.

 

 

 

Características:

 

el ƒ 10 años de retención mínima de los datos en ausencia de datos del ƒ de la alimentación externa se protege automáticamente durante ƒ del apagón

Substituye 32k x 8 RAM estático volátil, el ƒ de EEPROM o de memoria Flash ilimitado escribe a ƒ de los ciclos el ƒ de baja potencia del Cmos leído y

escriba los tiempos de acceso más rápidamente que la fuente de energía del litio del ƒ de 70 ns se desconecta eléctricamente para conservar frescura hasta poder

es por completo por primera vez aplicado el ƒ opcional del rango de operación VCC del ƒ el ±5% del rango de operación VCC del ƒ el ±10% (DS1230Y) (DS1230AB)

Gama de temperaturas industrial opcional de -40°C a +85°C, señalada ƒ PowerCap del paquete de la INMERSIÓN del perno del estándar 28 del ƒ JEDEC del IND

El paquete del módulo (PCM) - módulo directamente superficie-aumentable - PowerCap de resorte reemplazable proporciona la copia de seguridad del litio

la batería - pinout estandardizado para todos los productos permanentes de SRAM - característica de la separación en PowerCap permite retiro fácil

usando un destornillador regular.

 

 

 

Tabla de las cualidades:

 

 

 

Densidad de memoria 256kb
Organización de la memoria 32 K x 8
Voltaje-Nom de la fuente 4.5V a 5.5V
Tenga acceso a Tiempo-máximo 150ns
Interfaz Paralelo
Grado de la temperatura Comercial
Gama de funcionamiento de los temporeros 0°C a 70°C
Gama de temperaturas de almacenamiento -40°C a +85°C

 

 

 

 

para la ficha técnica del producto, CONTACTO LOS E.E.U.U. directamente

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