Mosfet BVDSS del transistor de poder del Mosfet DMHT3006LFJ-13 V-DFN5045-12: 25V-30V
Descripción
Este MOSFET se diseña para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)), con todo mantenga el funcionamiento superior de la transferencia, haciéndole el ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
Característica
bajo de la En-resistencia
bajo de la capacitancia de la entrada
Totalmente sin plomo y completamente RoHS obedientes (notas 1 y 2)
El halógeno y el antimonio liberan. Dispositivo del “verde” (nota 3)
mecánico de los datos
Caso: V-DFN5045-12
Material del caso: Plástico moldeado, - compuesto que moldea del ‖ verde. Clasificación de la inflamabilidad de la UL que valora el 94V-0
Sensibilidad de humedad: Nivel 1 por el J-STD-020
Terminales: Final – NiPdAu sobre Leadframe de cobre.
Solderable por MIL-STD-202, del método 208
Peso: 0.056grams (aproximado)
| Categorías | MOSFET BVDSS DEL MOSFET: 25V-30V |
| DMHT3006LFJ-13 |
| Polaridad del transistor | Canal N |
| Canal no. | Canal 4 |
| En-resistencia de la fuente de la salida | 10 mOhms |
| Temperatura de trabajo | -55C a +150C |
| Disipación del Paladio-poder | 2,1 W |
| Voltaje del umbral de la fuente de la th-puerta de Vgs | 30 V |
| Configure | Patio |
FAQ:
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