Módulo original de Igbt del poder del nuevo módulo del módulo CM400DY-12H IGBT
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM100TU-24H de Mitsubishi Electric
Semiconductor de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO DE LA TRANSFERENCIA DEL PODER MÁS ELEVADO DE QM7E2Y-H
Semiconductor de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM1000HA-24H de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM10DU-12H de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM200E3U-12H de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM200DY-28H de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM30DU-F de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de CM600HU-12H de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO semiconductor de la TRANSFERENCIA del PODER MÁS ELEVADO de QM100TX1-H de Mitsubishi Electric
TIPO AISLADO USO DE LA TRANSFERENCIA DEL PODER MÁS ELEVADO DE QM200DY-2HB
Descripción:
Los módulos de Mitsubishi IGBT se diseñan para el uso en usos de la transferencia. Cada módulo consiste en dos que IGBTs en una configuración del semipuente con cada transistor que tiene una recuperación ultrarrápida re-verso-conectada anda sin embragar el diodo.
Características: Recuperación ultrarrápida discreta VCE de la impulsión baja (sentado) del ٗ bajo de Powerٗ
Ande sin embragar la placa de base aislada Operationٗ de alta frecuencia de Diodeٗ para fácil
Caliente el hundimiento
Uso: Control de motor de CA
Movimiento/servocontrol
Fuentes de alimentación de la soldadura
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