Módulo del poder más elevado IGBT de Infineon para la locomotora eléctrica BSM75GB120DN2

Módulo de poder de Infineon IGBT BSM75GB120DN2 o BSM75GB12ODN2

BSM75GB120DN2

Descripción de producto

Fabricación: INFINEON TECHNOLOGIES

Tipo de módulo: IGBT

Estructura del semiconductor: Transistor

Topología: Semipuente de IGBT

Del voltaje del estado máximo: 600V

Corriente de colector: 75A

Poder: 625W

Corriente de impulso delantera máxima: 150A

Caso: AG-34MM-1

Montaje eléctrico: tornillo

Montaje: tornillo

Temperatura de funcionamiento: -40… 125°C

Puerta - voltaje del emisor: ±20V

Número de artículo: BSM75GB120DN2

Categoría del artículo: Transistores

Subcategoría: IGBTs

Tipo: Dual

Vces: 1.200 voltios de DC

Ic: 75 amperios

Vges +/-: 20

Hiela máximo: 1,5 miliamperios

Iges máximo: 0,32 microamperios

Vge (th) mínimo/máximo: 6,5 voltios

Vce (sentado) máximo: 3 voltios

Altura (milímetro): 30,5

Anchura (milímetro): 94

Profundidad (milímetro): 34

H x W x D: 1,2 en x 3,7 en x 1,34 adentro

Peso neto: 8,8175 ONZAS

Peso bruto: 5,6 ONZAS

Detalles del producto

Módulos de IGBT, Infineon

La gama de Infineon de módulos de IGBT ofrece la pérdida baja de la transferencia para cambiar frecuencias de hasta 60 kilociclos.
El transistor de la puerta o el IGBT bipolar aislado es un dispositivo de semiconductor del poder del tres-terminal, conocido para la eficacia alta y la transferencia rápida. El palmo de IGBTs sobre una gama de módulos de poder le gustan los paquetes con voltaje del emisor del colector en 1200V, módulos de ECONOPACK del interruptor del semipuente de PrimePACK IGBT con NTC hasta 1600/1700V. El IGBT combina las características simples de la puerta-impulsión de los MOSFETs con la capacidad de gran intensidad y del bajo-saturación-voltaje de transistores bipolares combinando un FET aislado de la puerta para la entrada de control, y un transistor de poder bipolar como interruptor, en un solo dispositivo. El PrimePACK IGBT se puede encontrar en industrial, comercial, la construcción y vehículos agrícolas. El canal N TRENCHSTOP ^TM y los módulos de Fieldstop IGBT son convenientes para la transferencia dura y los usos suaves de la transferencia tales como inversores, UPS e impulsiones industriales.