Shenzhen Jinsheng Weiye Electronics Co., Ltd

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Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores.

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Shenzhen Jinsheng Weiye Electronics Co., Ltd
País/Región:china
Persona de contacto:MrChen xin
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Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores.

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Número de modelo :PC28F128M29EWHG
Lugar de origen :Llamada
Cantidad mínima de pedido :¡Éntrenos en contacto con!
Condiciones de pago :Paypal, Western Union, TT
Capacidad de suministro :50000 pedazos por día
Tiempo de entrega :Envíe el correo electrónico para aprender plazo de ejecución
Detalles de empaquetado :paquete estándar
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                                                                  Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores.Ficha técnica de PC28F128M29EWHG

Especificaciones

       
Cualidad Valor del atributo
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoría de producto Memoria ICs
Serie -
EmpaquetadoBandeja
Paquete-caso 64-LBGA
Actuar-temperatura-40°C ~ 85°C (TA)
Interfaz Paralelo
Voltaje-fuente2,7 V ~ 3,6 V
Proveedor-Dispositivo-paquete 64-FBGA (11x13)
Capacidad de memoria el 128M (el 16M x 8, los 8M x 16)
Memoria-tipoFLASH - NI
Velocidad 60ns
Formato-memoria FLASH

Componente compatible funcional

Detalles del producto

Descripción general

El dispositivo del 65nm del micrón es la última generación de atracción inalámbrica de la memoria de StrataFlash® flexible, múltiple-división, arquitectura de la dual-operación. El dispositivo proporciona el alto rendimiento, modo leído asincrónico y la síncrono-explosión leyó el modo usando 1.8V de baja tensión, tecnología de niveles múltiples de la célula (MLC).

 

 

Características

• Lectura, programa y borrado de alto rendimiento
– acceso de lectura inicial de 96 ns
– 108 megaciclos con cero explosión síncrona del espera-estado leen: salida de 7 reloj-a-datos del ns
– 133 megaciclos con cero explosión síncrona del espera-estado leen: salida de 5,5 reloj-a-datos del ns
– 8, 16-, y la síncrono-explosión de la continuo-palabra lee
– Configuración programable de la ESPERA
– impedancia Cliente-configurable del conductor de la salida
– Programación protegida: 2,0 μs/Word (tipo), 512-Mbit 65 nanómetro
– Borrado del bloque: 0,9 s por el bloque (tipo)
– programa/borrado de 20 μs (tipo) suspender
• Arquitectura
– ómnibus de datos ancho de 16 bits
– Tecnología de niveles múltiples de la célula
– Arquitectura Simétrico-bloqueada del arsenal
– bloques del borrado 256-Kbyte
– dispositivo 1-Gbit: Ocho divisiones 128-Mbit
– dispositivo 512-Mbit: Ocho divisiones 64-Mbit
– dispositivo 256-Mbit: Ocho divisiones 32-Mbit
– dispositivo 128-Mbit: Ocho divisiones 16-Mbit
– Lectura-Mientras que-programa y Lectura-Mientras que-borrado
– Registro de la situación para la situación de la división/de dispositivo
– El espacio en blanco comprueba la característica
• Calidad y confiabilidad
– Temperatura ampliada: – °C 30 al °C +85
– 100.000 ciclos mínimos del borrado por bloque
– tecnología de proceso 65nm
• Poder
– Voltaje de la base: 1,7 V - 2,0 V
– Voltaje de la entrada-salida: 1,7 V - 2,0 V
– Corriente espera: μA 60 (tipo) para 512-Mbit, 65 nanómetro
– Modo profundo del poder-Abajo: μA 2 (tipo)
– Modo automático de los ahorros del poder
– la síncrono-explosión de 16 palabras leyó actual: 23 mA (tipo) @ 108 megaciclos; 24 mA (tipo) @ 133 megaciclos
• Software
– Integrador de destello de los datos de Micron® (FDI) optimizado
– Comando básico fijado (BCS) y comando extendido fijado (ECS) compatible
– Interfaz de destello común (CFI) capaz
• Seguridad
– Espacio programable de una sola vez (OTP)
64 pedazos únicos del identificador de dispositivo de la fábrica
2112 pedazos usuario-programables de OTP
– El absoluto escribe la protección: VPP = TIERRA
– borrado de la Poder-transición/cierre del programa
– Fijación cero individual del bloque del estado latente
– Confinamiento individual del bloque
• Densidad y empaquetado
– 128Mb, 256Mb, 512Mbit, y 1-Gbit
– interfaces multiplexados y no-multiplexados de los Dirección-datos
– 64-Ball BGA fácil

Descripciones del dispositivo

FLASH - NI paralelo 60ns 64-FBGA (11x13) de IC 128Mb (el 16M x 8, los 8M x 16) de la memoria
NI 8MX16 DE DESTELLO PBF PLÁSTICO LIBRA
 
 
 
 

¿Quién somos?

es una sociedad la comercialización electrónica profesional dedicada totalmente a los campos de los semiconductores y de los componentes electrónicos venta y al servicio para los clientes durante 10 años, se especializa en la venta del nuevo y la fábrica inusitada, original selló componentes electrónicos que embalaban. ¡especialícese en IC, diodo, transistor, IGBT, *** del convertidor de DC-DC ..... ha puesto nuestro propio concepto del servicio de las ventas y ha establecido ya sociedades fuertes con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5.000.000 clases de componentes electrónicos para sus opciones, siempre en sus servicios!

FAQ
Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
: Somos fabricante original de microprocesador del circuito integrado. Podemos hacer negocio de OEM/ODM.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
: T/T el 30% como depósito, y el 70% antes de entrega.
Q: ¿Cómo comprar sus productos?
: Usted puede comprar los productos de nuestra compañía directamente. El procedimiento es normalmente muestra el contrato, pago por T/T, entra en contacto con al naviera a la entrega las mercancías a su país.
Q: ¿Cuál es la garantía?
: La garantía libre está a un año a partir del día de Comisión calificado. Si hay cualquier falta para nuestros productos dentro del período de garantía libre, la repararemos y cambiaremos el montaje de la falta gratis.
6-TSSOP,

Carro de la investigación 0