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Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.

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Casa / Productos / Field Effect Transistor / Canal N plástico AP60N03DF del transistor de poder del Mosfet para la protección de la batería /

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Diodo de señal de Schottky

 [39]

Diodo de barrera Schottky

 [37]

Diodo de rectificador de gran intensidad

 [10]

Diodo rápido de la recuperación

 [21]

Diodo de la eficacia alta

 [17]

diodo de transferencia rápido

 [11]

puente rectificador de Schottky

 [12]

diodo de rectificador ultrarrápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener superficial del soporte

 [8]

Transistor de efecto de campo

 [31]

Diodo de rectificador de poder

 [3]

Asamblea impresa de la placa de circuito

 [161]
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Canal N plástico AP60N03DF del transistor de poder del Mosfet para la protección de la batería
Canal N plástico AP60N03DF del transistor de poder del Mosfet para la protección de la batería
  • Canal N plástico AP60N03DF del transistor de poder del Mosfet para la protección de la batería
  • Canal N plástico AP60N03DF del transistor de poder del Mosfet para la protección de la batería
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El canal N de AP60N03DF avanzó el transistor de efecto de campo del poder del MOSFET del poder AP60N03DF.pdf Descripción El AP60N03DF utiliza tecnolog...
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