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Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.

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Casa / Productos / Field Effect Transistor / Diseño de alta densidad dual de la célula del transistor de efecto de campo del canal N MXN3312 para la transferencia del poder /

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Diodo de señal de Schottky

 [39]

Diodo de barrera Schottky

 [37]

Diodo de rectificador de gran intensidad

 [10]

Diodo rápido de la recuperación

 [21]

Diodo de la eficacia alta

 [17]

diodo de transferencia rápido

 [11]

puente rectificador de Schottky

 [12]

diodo de rectificador ultrarrápido de la recuperación

 [12]

Diodo Zener superficial del soporte

 [8]

Transistor de efecto de campo

 [31]

Diodo de rectificador de poder

 [3]

Asamblea impresa de la placa de circuito

 [161]
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Diseño de alta densidad dual de la célula del transistor de efecto de campo del canal N MXN3312 para la transferencia del poder
Diseño de alta densidad dual de la célula del transistor de efecto de campo del canal N MXN3312 para la transferencia del poder
  • Diseño de alta densidad dual de la célula del transistor de efecto de campo del canal N MXN3312 para la transferencia del poder
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Mosfet dual del poder del modo del aumento del canal N del transistor de efecto de campo MXN3312 Descripción de producto El MXN3312 utiliza tecnología ...
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