Chongqing Silian Optoelectronic Science y tecnología Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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150m m LED Sapphire Substrate, rasguño Sapphire Crystal resistente

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Ciudad:chongqing
Provincia / Estado:chongqing
País/Región:china
Persona de contacto:MsWu
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150m m LED Sapphire Substrate, rasguño Sapphire Crystal resistente

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Number modelo :Modificado para requisitos particulares
Lugar del origen :Chongqing, China
Cantidad de orden mínima :500pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T, MoneyGram
Capacidad de la fuente :20.000 PC/mes
Plazo de expedición :5-8 semanas
Detalles de empaquetado :PC 1pcs/12pcs/25
Pureza :el ≥99.998%
GBIR :≤ 15um
Desalineamiento de la muesca :-0.3° a 0.3°
Mis-orientación a la derecha el 90° de muesca :0.35° ± 0.10°
Mis-orientación hacia muesca :-0.10° a 0.10°
SBIR :≤ 3um
Material :Sola AL2O3 pureza elevada de aluminio el >99.995%
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Diversos tamaños de los substratos de alta calidad del zafiro del LED

 

 

Descripción de producto

La composición del zafiro es el alúmina (A12O3), que covalente es enlazado por tres basals del oxígeno y dos basals de aluminio. La estructura cristalina es una estructura de enrejado hexagonal. La banda óptica de la penetración del zafiro es muy ancha, de luz ultravioleta cercana. (190nm) a los rayos mediados de-infrarrojos tenga buena transmitencia ligera, y tenga las características de la alta velocidad sana, resistencia da alta temperatura, resistencia a la corrosión, alta dureza, punto de fusión elevada (20452 grados de C), los etc., y son de uso frecuente como materiales componentes optoelectrónicos. La calidad del blanco del ultra-alto-brillo/del LED azul depende de la calidad material de la epitaxia del nitruro del galio (GaN), así que se relaciona con la calidad de proceso superficial del substrato del zafiro utilizó. La tarifa constante de la unión mal hecha del enrejado entre las películas VI-depositadas es pequeña, y cumple los requisitos des alta temperatura de la resistencia del proceso de la epitaxia de GaN. Por lo tanto, el substrato del zafiro se ha convertido en el material dominante para la producción de LED blanco/azul/verde.

 

Especificación técnica

 

Orientación superficial de la oblea C-AXIS [0001] 0.35°
Mis-orientación hacia muesca

-0.10° a 0.10°

Mis-orientación a la derecha el 90° de muesca 0.35° ± 0.10°
Orientación de la muesca M-avión (- 1 1 0 0)
Diámetro ± 0.20m m de 150.0m m
Grueso ± 0.02m m de 1.30m m
Desalineamiento de la muesca -0.3° a 0.3°
GBIR ≤ 15um
SBIR ≤ 3um
Front Side Bow -15 a 15um
Front Surface Finish EPI listo por INGN-0144
Backsurface

Aspereza media: 0,65 a 0.95um

Gama de aspereza: 0.4um

Identificación de la oblea de Frontside

Identificación de la oblea en superficie delantera por SEMII T5-96

Texto: MCXXXXXNNN-YZ

Bujía métrica: Oblea de Silian 150m m con 0,35 mis-orientaciones hacia uno-AXIS

XXXXX: Identificación limpia de la porción

NNN: Número de la oblea

YZ: Suma de comprobación

Dimensiones biseladas

Front Bevel Size: 50 a 150um

Tamaño biselado trasero: 50 a 200um

Front Bevel Angle: 35 a 55 grados

ROA (en 0.5m m) -1 a 1um
Defectos superficiales PLLC 5183,0699 HC Candela Upper Spec Limits
Empaquetado: Ambiente del sitio limpio de la clase 100, en casetes de 25, bajo atmósfera del nitrógeno.

 

150m m LED Sapphire Substrate, rasguño Sapphire Crystal resistente
 

Ventajas del producto

 

Modelo Sapphire Substrate (PSS): El substrato del zafiro es diseñado para producir modelos regulares específicos de la microestructura de la nano-escala por el crecimiento o la aguafuerte para controlar la forma de la luz de la salida del LED. Al mismo tiempo, puede reducir los defectos del GaN crecido en el substrato del zafiro, mejorar la calidad de la epitaxia, y mejora la eficacia de quántum interna del LED y aumentar la eficacia ligera de la extracción.

Tiene las características de la alta velocidad sana, resistencia da alta temperatura, resistencia a la corrosión, alta dureza, alta transmitencia ligera, punto de fusión elevada (2045°C), etc.

 

150m m LED Sapphire Substrate, rasguño Sapphire Crystal resistente

 

Carro de la investigación 0