Chongqing Silian Optoelectronic Science y tecnología Co., Ltd.

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Manufacturer from China
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5 Años
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Ninguna transmitencia de Sapphire Wafer With Good Light de 6 pulgadas que se agrieta

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Chongqing Silian Optoelectronic Science y tecnología Co., Ltd.
Ciudad:chongqing
Provincia / Estado:chongqing
País/Región:china
Persona de contacto:MsWu
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Ninguna transmitencia de Sapphire Wafer With Good Light de 6 pulgadas que se agrieta

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Number modelo :Modificado para requisitos particulares
Lugar del origen :Chongqing, China
Cantidad de orden mínima :500pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T, MoneyGram
Capacidad de la fuente :20.000 PC/mes
Plazo de expedición :5-8 semanas
Detalles de empaquetado :PC 1pcs/12pcs/25
Diámetro :150.1±0.1
Longitud plana :47.5±1
Arco :0 ~ (- 10) um
color :Transparente; otros colores
Material :Pureza elevada y AL2O3 monocristalino
Crystal Orientation superficial :C-avión 0°±0.1°
Orientación plana primaria :Uno-avión 0°±0.5°
Borde roto :≤3mm
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substrato del zafiro 6-inch con buena transmitencia ligera

 

Descripción de producto

 

La composición química del cristal de zafiro es alúmina, con el enrejado hexagonal de la estructura cristalina. El zafiro es un material de uso general del substrato para el crecimiento epitaxial del nitruro del galio (GaN). Tiene dureza ultraalta, propiedades físicas y químicas estables en las temperaturas altas, funcionamiento óptico excelente.

 

Especificación técnica

 

Propiedades Unidad substrato de 6 pulgadas
Diámetro milímetro 150.1±0.1
Longitud plana milímetro 47.5±1
Material Pureza elevada y AL2O3 monocristalino
Crystal Orientation superficial C-avión 0°±0.1°
Orientación plana primaria Uno-avión 0°±0.5°
Borde roto ≤3mm
Grieta El ningún agrietarse
Defecto Ningún Wrappage, cristal gemelo o Crystal Boundary
EPD ² de <1000/cm

 

Investigación del funcionamiento

 

El GaN semipolar y no polar se puede crecer en el substrato del zafiro con algunos aviones especiales como el M-avión <1-100>y el R-avión <1-102>. El GaN semipolar y no polar tiene buen funcionamiento para mejorar el efecto de la inclinación del dispositivo, el fenómeno del cambio de la longitud de onda y la eficacia de la banda de la longitud de onda larga del dispositivo del LED. Los estudios han mostrado que usando la capa da alta temperatura de la nucleación de AlN y la temperatura más alta del crecimiento de AlGaN, o una capa del almacenador intermediario con el AlGaN de múltiples capas, o usar el Si el doping de técnica puede mejorar con eficacia la calidad cristalina y la densidad de dislocación de las películas finas semipolares y no polares de AlGaN crecidas en los substratos del zafiro.

 

Ninguna transmitencia de Sapphire Wafer With Good Light de 6 pulgadas que se agrieta

 

Carro de la investigación 0