Tecnología Co., Ltd. de Chengdu SinoScite

Chengdu Sinoscite Technology Co., Ltd. is an international advocate of innovation in microwave and millimeter wave fields.

Manufacturer from China
Miembro activo
6 Años
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Potencia pasiva de los componentes 5w del duplexor negro de Cdma DCS G/M Wcdma Rf

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Tecnología Co., Ltd. de Chengdu SinoScite
Ciudad:chengdu
Provincia / Estado:sichuan
País/Región:china
Persona de contacto:MrScott zhao
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Potencia pasiva de los componentes 5w del duplexor negro de Cdma DCS G/M Wcdma Rf

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Número de modelo :SNSD
Lugar del origen :Sichuan, China
Cantidad de orden mínima :1 pedazo
Condiciones de pago :Carta de crédito, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :2000 pedazos por mes
Plazo de expedición :Menos que 4weeks
Detalles de empaquetado :Cartón exportador estándar, cada producto envuelto individualmente, embalaje profesional de la prote
Potencia :5w
Impedancia :50Ω
Pérdida de inserción :3dB
Isolatio :≥90dB
Peso :120 G
Tipo de conector :N-KF, 50Ω
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Duplexor disponible de la cavidad del RF del duplexor de los componentes pasivos CDMA DCS G/M WCDMA
 
Detalles rápidos
  1. Lugar del origen: Sichuan, China
  2. Marca: duplexor de la cavidad del rf
  3. Número de modelo: duplexor de la cavidad del rf
  4. Nombre de producto: Duplexor disponible de la radio de la cavidad del rf del duplexor de CDMA DCS G/M WCDMA
  5. Potencia: 5W
  6. Pérdida de inserción: 3dB
  7. Impedancia: 50Ω
  8. Conectores: N-KF, 50Ω
  9. Material: RoHS, empaquetado de cerámica
  10. Peso: 120g
  11. Dimensiones: 30*12.8*5.5m m
  12. Temperatura de funcionamiento: - 20~+60℃
Capacidad de la fuente
Capacidad de la fuente: 2000 pedazos/pedazos por el duplexor de la radio de la cavidad del rf del duplexor del mes CDMA DCS G/M WCDMA
Detalles de empaquetado: duplexor de la cavidad del rf
 
Descripción de producto

Potencia pasiva de los componentes 5w del duplexor negro de Cdma DCS G/M Wcdma Rf

Características

  1.  Potencia: 5W
  2.  Pérdida de inserción: 1.8dB
  3.  Impedancia: 50Ω

Characterist eléctrico

Parámetro Símbolo Condiciones Valor Unidades
      Minuto Tipo Máximo  
Gama de frecuencia f     827,5   Megaciclo
Impedancia Z       50 Ω
Pérdida de inserción IL Pin=0dBm, TA=+25℃     3,0 DB
Ratio de onda derecha VSWR Pin=0dBm, TA=+25℃   1,3   : 1
Aislamiento L         DB
Ondulación       1,5   DB
Refrene   820-835MHz   45   DB
Con el poder (CW) Pin       5 W
Temperatura de funcionamiento T   -20   +60

Características ambientales

Nombre Estándar Observaciones
Prueba de la temperatura GB/T
Prueba de la vibración GB/T
Prueba de la degradación GB/T

 
 
Carro de la investigación 0